[发明专利]一种双施密特结构的波形变换电路在审
申请号: | 201910750115.5 | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN110380710A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 曹杨;蔺旭辉;曹靓 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | H03K3/0233 | 分类号: | H03K3/0233;H03K12/00;H03K3/01 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波形变换电路 低通滤波电路 模拟开关电路 方波 施密特触发电路 标准方波信号 电压比较电路 高频干扰信号 施密特触发器 数字电路技术 同频方波信号 电压比较器 波形转换 方波信号 高低电平 输出信号 信号通过 依次相连 不规则 翻转 低噪声 第一级 非标准 同频率 正弦波 去除 修正 | ||
本发明公开一种双施密特结构的波形变换电路,属于数字电路技术领域。所述双施密特结构的波形变换电路包括依次相连的低通滤波电路、电压比较电路、模拟开关电路和施密特触发电路组。输入信号通过低通滤波电路去除高频干扰信号,再通过电压比较器将非标准正弦波进行初步波形转换形成第一级方波,模拟开关电路控制其输出信号在高低电平之间来回切换,生成与输入信号同频率的方波信号,同频方波信号进入施密特触发器组,对幅值失真的不规则方波进行调整和修正,生成低噪声、快速翻转的标准方波信号。
技术领域
本发明涉及数字电路技术领域,特别涉及一种双施密特结构的波形变换电路。
背景技术
数字电路中,除有用信号外其它一切不需要的信号波动都称为噪声。噪声在经过多级电路放大后,将对电路产生不可估量的影响。因此,噪声抑制始终是电子电路研究领域十分重要的方向。
当电路输入信号本身不是标准正弦波,或在电路中存在非线性元件使其响应是非正弦信号时,其幅值可能出现失真导致逻辑错误。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双施密特结构的波形变换电路,以解决目前的电路信号为非标准正弦波时,容易出现失真,从而导致逻辑错误的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种双施密特结构的波形变换电路,包括:
依次相连的低通滤波电路、电压比较电路、模拟开关电路和施密特触发电路组;
所述低通滤波电路用于去除同步电压输入信号中的高频干扰,同时具备阈值监控能力;
所述电压比较电路用于形成第一级方波信号;
所述模拟开关电路生成与第一级方波信号同频率的方波,提高方波信号抖直性;
所述施密特触发电路组对幅值失真的不规则方波进行修正。
可选的,所述低通滤波电路包括上拉电阻R1、分压电阻R2和R3、PMOS管MP1和NMOS管MN1、MN2;其中,
所述上拉电阻R1一端连接电源VDD,另一端与PMOS管MP1的栅极和NMOS管MN2的源极连接;PMOS管MP1管的漏极、源极和衬底均与电源相连;
所述分压电阻R2一端连接电源,另一端通过分压电阻R3连接到地,并与NMOS管MN1的栅极和NMOS管MN2的栅极连接;
NMOS管MN1的漏极、源极和衬底均接地,NMOS管MN2的漏极和衬底均与接地。
可选的,所述电压比较电路包括反相器INV1和INV2、与门AND1和AND2、或非门NOR1;其中,
输入端VO通过反相器INV1与 与门AND1的一个输入端连接,参考电压VREF与 与门AND1的另一个输入端连接;
参考电压VREF通过反相器INV2与 与门AND2的一个输入端连接,输入端VO与 与门AND2的另一个输入端连接;
与门AND1和与门AND2的输出端与 或非门NOR1的输入端连接,或非门NOR1输出与输出端VF连接。
可选的,所述模拟开关电路包括反相器INV3和INV4、PMOS管MP2和MP3、NMOS管MN3和MN4;其中,
输入端VA与PMOS管MP2的源极、NMOS管MN3的源极连接;
输入端VF通过与非门INV3、与非门INV4与NMOS管MN3的栅极、PMOS管MP3的栅极连接;
输入端VB与PMOS管MP3的源极、NMOS管MN4的源极连接;
与非门INV3输出端与PMOS管MP2的栅极、NMOS管MN4的栅极连接;
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