[发明专利]具有闩锁免疫的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第二导电类型的本体区；

第二导电类型的本体接触区，形成在本体区中并且与本体区相比具有更高的平均掺杂浓度；在与本体接触区相邻的本体区中形成的与第二导电类型相反的第一导电类型的源极区；

第一导电类型的漂移区带，由本体区的形成半导体器件的沟道区的区段将该第一导电类型的漂移区带与源极区分隔开；以及

栅极电极，被配置为控制沟道区，

其中本体接触区在朝向沟道区的方向上在源极区的大部分之下延伸并且在源极区的大部分之下具有至少1x10¹⁸cm^-3的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中本体接触区在整个源极区之下延伸并且在整个源极区之下具有至少1x10¹⁸cm^-3的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中本体接触区在源极区的大部分之下具有至少1x10¹⁹cm^-3的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中本体接触区在源极区的大部分之下具有至少2x10¹⁹cm^-3的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中源极区具有在源极区的大部分上的平均厚度，并且其中在源极区的相邻于沟道区的一侧处源极区的厚度从平均厚度增加两倍或更多。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中源极区具有在源极区的大部分上的小于100nm的平均厚度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中在源极区的大部分上源极区的平均厚度在40nm和80nm之间。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中在源极区的相邻于沟道区的一侧处源极区的厚度增加到至少100nm。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中在源极区的相邻于沟道区的一侧处源极区的厚度增加到至少120nm。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中本体区、本体接触区、源极区和漂移区带被形成在外延层中，其中源极区具有相邻于沟道区的掺杂剂浓度尾部并且掺杂剂浓度尾部与源极区的其余部分相比更深地延伸到外延层中，并且其中本体接触区在源极区之下至少延伸到源极区的掺杂剂浓度尾部。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中半导体器件是横向功率半导体器件，其中本体区、本体接触区、源极区和漂移区带被形成在外延层中，其中外延层被形成在半导体衬底上，其中通过一个或多个隔离层将外延层与半导体衬底在竖向上分离，其中第一导电类型的漏极区被形成在漂移区带的与沟道区相对的一侧上的外延层中，并且其中栅极电极被部署在外延层上并且与沟道区电绝缘。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中由源极区、本体区和漂移区带形成的寄生双极器件具有触发电压和保持电压，在触发电压之上寄生双极器件被触发并且开始传导电流，在保持电压之上寄生双极器件在被触发之后继续传导电流，并且其中源极区的载流子喷射能力使得寄生双极器件的保持电压在半导体器件的供给电压之上。