[发明专利]微影的方法、集成电路的制造方法及清洗溶液

说明书

一种微影的方法、集成电路的制造方法及清洗溶液，提供在现有技术能达到高图案结构整合度的光刻胶清洗溶液及相应的微影技术。示范的微影方法包含在工作件上形成光刻胶层，将光刻胶层对辐射进行曝光，使用显影剂对曝光的光刻胶层进行显影，以移除曝光的光刻胶层的未曝光部分，借此形成图案化的光刻胶层，以及使用清洗溶液以清洗图案化的光刻胶层。显影剂为有机溶液，且清洗溶液包含水。

技术领域

本发明实施例涉及微影的方法、集成电路的制造方法及清洗溶液，特别涉及在制造集成电路的期间实施的微影技术及/或微影材料。

背景技术

微影在集成电路(integrated circuit，IC)的制造中被广泛地利用，其中将各种集成电路图案转移至工作件以形成集成电路装置。微影工艺一般涉及在工作件上形成光刻胶层(resist layer)，将光刻胶层对图案化的辐射进行曝光，以及对曝光的光刻胶层进行显影，借此形成图案化的光刻胶层。当集成电路技术持续地朝更小的技术节点进展，由于光刻胶图案更容易变形、倾倒及/或剥落，光刻胶图案的结构整合度变得更脆弱。这些参数受到许多因素的影响，其中为对曝光的光刻胶层所使用的显影剂及清洗溶液的选择。正型显影(positive tone development，PTD)移除光刻胶层的曝光部分，而负型显影(negativetone development，NTD)移除光刻胶层的未曝光部分，正型显影和负型显影经常使用不同的显影剂和清洗溶液。目前的正型显影和负型显影工艺产生各种光刻胶结构的问题。因此，虽然现存的微影技术已逐渐满足它们既定的用途，但它们仍未在各方面皆彻底的符合要求。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供微影(光刻)的方法。方法包含在工作件上形成光刻胶层，将光刻胶层对辐射进行曝光，使用显影剂对曝光的光刻胶层进行显影，以移除曝光的光刻胶层的未曝光部分，借此形成图案化的光刻胶层，以及使用清洗溶液以清洗图案化的光刻胶层。显影剂为有机溶液，且清洗溶液包含水。

根据本发明的一些实施例，提供集成电路的制造方法。方法包含在工作件上形成光刻胶层，将光刻胶层对图案化的辐射进行曝光，在负型显影剂中移除光刻胶层的未曝光部分，借此形成图案化的光刻胶层，负型显影剂包含有机溶剂，以及在清洗溶液中对图案化的光刻胶层进行清洗，其中清洗溶液的整体表面张力高于有机溶剂的表面张力。

根据本发明的一些实施例，提供在负型显影之后清洗图案化的光刻胶层的清洗溶液。清洗溶液包含水、偶极溶剂和交联剂。

附图说明

通过以下的详述配合说明书附图，我们能更加理解本发明实施例的内容。需注意的是，根据产业上的标准做法，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，这些部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1是根据本发明的各个方面，显示处理工作件的微影方法的流程图。

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E和图2F是根据本发明的各个方面，显示工作件在各个工艺阶段的部分的剖面图。

图3是根据本发明的各个方面，显示图案化的光刻胶层的曝光部分中某些分子的简化示意图。

图4是根据本发明的各个方面，显示显影和清洗系统的简化区块图。

附图标记说明：

100～方法；

102、104、106、108、110、112～方框；

200～工作件；

202～基底；

204～材料层；

204'～图案化的材料层；

204a～图案；

206～光刻胶层；

206'～图案化的光刻胶层；