[发明专利]微影的方法、集成电路的制造方法及清洗溶液

权利要求书

1.一种微影的方法，包括：

在一工作件上形成一光刻胶层；

将该光刻胶层对辐射进行曝光；

使用一显影剂对曝光的该光刻胶层进行显影，以移除曝光的该光刻胶层的一未曝光部分，借此形成一图案化的光刻胶层；以及

使用一清洗溶液以清洗该图案化的光刻胶层，其中使用该清洗溶液以清洗该图案化的光刻胶层期间，该显影剂的一部分设置于该图案化的光刻胶层的一表面上；且

其中该显影剂为一有机溶液，且其中该清洗溶液包含约5％至约30％之间的水，使得该清洗溶液通过该显影剂的该部分并到达该图案化的光刻胶层的该表面，进而在清洗该图案化的光刻胶层期间将该图案化的光刻胶层硬化。

2.如权利要求1所述的微影的方法，其中在清洗该图案化的光刻胶层的期间，水渗入该图案化的光刻胶层使得水分子与该图案化的光刻胶层的极性官能基之间形成氢键。

3.如权利要求1所述的微影的方法，其中该清洗溶液还包含一偶极溶剂，该偶极溶剂占该清洗溶液的比值在约5％至约70％之间。

4.如权利要求1所述的微影的方法，其中该清洗溶液包含一溶剂，该溶剂具有低于约35达因/公分的表面张力。

5.如权利要求4所述的微影的方法，其中具有低于约35达因/公分的表面张力的该溶剂占该清洗溶液的比值在约10％至约70％之间。

6.如权利要求4所述的微影的方法，其中该清洗溶液具有高于约35达因/公分的整体表面张力。

7.如权利要求1所述的微影的方法，其中该清洗溶液包含一交联剂。

8.如权利要求7所述的微影的方法，其中该交联剂占该清洗溶液的比值在约0.01％至约15％之间。

9.如权利要求1所述的微影的方法，其中该显影剂的该有机溶液包含乙酸正丁酯但不包含水，其中该清洗溶液包含在约10％到约20％之间的偶极溶剂，以及在约0.01％到约15％之间的交联剂。

10.一种集成电路的制造方法，包括：

在一工作件上形成一光刻胶层；

将该光刻胶层对图案化的辐射进行曝光；

在一负型显影剂中移除该光刻胶层的一未曝光部分，借此形成一图案化的光刻胶层，其中该负型显影剂包含一有机溶剂；以及

在一清洗溶液中对该图案化的光刻胶层进行清洗，其中该图案化的光刻胶层进行清洗期间，该负型显影剂的一层设置于该图案化的光刻胶层的一表面上，其中该清洗溶液包含约5％至约30％之间的水，使得该清洗溶液通过该负型显影剂的该层并到达该图案化的光刻胶层的该表面，进而在清洗该图案化的光刻胶层期间将该图案化的光刻胶层硬化，其中该清洗溶液的一整体表面张力高于该有机溶剂的一表面张力。

11.如权利要求10所述的集成电路的制造方法，其中该清洗溶液的该整体表面张力对空气至少为约35达因/公分，且其中该有机溶剂的该表面张力对空气小于约35达因/公分。

12.如权利要求10所述的集成电路的制造方法，其中该清洗溶液具有一整体极性高于该图案化的光刻胶层的极性和该有机溶剂的极性。

13.如权利要求10所述的集成电路的制造方法，其中该清洗溶液还包含约5％至约70％的极性溶剂。

14.如权利要求13所述的集成电路的制造方法，其中该清洗溶液还包含约0.01％至约15％之间的交联剂。

15.如权利要求14所述的集成电路的制造方法，其中该清洗溶液还包含一溶剂，该溶剂具有低于约35达因/公分的表面张力。