[发明专利]一种分段式黑色焊带制备方法及分段式黑色焊带在审
申请号: | 201910748558.0 | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN112397606A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 赵小强;何志富;朱琛;吕俊;谭小春 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/05 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 段式 黑色 制备 方法 | ||
本发明提供了一种分段式黑色焊带制备方法,包括以下步骤:提供导电基带,并依次于导电基带的上表面、下表面交替设定若干段喷涂区域;每一段喷涂区域内均喷涂以形成黑色涂层;在与黑色涂层相对的导电基带上镀覆低熔点合金层;低熔点合金层的熔点比黑色涂层的熔点低。由于黑色涂层的熔点高于低熔点合金层,因此,焊接时产生的热量不会对黑色涂层的结构造成破坏,再者,由于黑色涂层直接与与低熔点合金层相对的导电基带接触,与现有的黑色焊带相比,黑色涂层和导电基带之间不具有熔融状态且流动的低熔点合金,因此,能够有效地避免对黑色涂层均匀性的破坏,进而避免堆积龟裂和电池片对接失效等问题。本发明还提供一种分段式黑色焊带。
技术领域
本发明涉及光伏组件技术领域,特别是涉及一种分段式黑色焊带制备方法及分段式黑色焊带。
背景技术
全黑光伏组件指的是边框、后盖板以及对接电池片的焊带均为黑色,由于全黑光伏组件具有较好的防眩光特性,因此是光伏组件发展的主要方向之一。
现有用于对接电池片的黑色焊带一般包括高导电率基材,如铜、镀锡铜、镀锡铅铜、镀锌铜或镀镍铜等,包裹在高导电率基材上表面和下表面的低熔点合金层,如锡铅合金,以及依次交替喷涂在上表面低熔点合金层、下表面低熔点合金层的黑色涂层,黑色涂层的熔点大于低熔点合金层的熔点。
使用上述黑色焊带焊接时,低熔点合金层受热融化,处于高导电率基材和黑色涂层之间且处于熔融状态下的低熔点合金层会流动,流动的低熔点合金层将会破坏黑色涂层的均匀性,进而导致堆积龟裂、电池片对接失效等问题。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的是提供一种能够避免破坏黑色涂层均匀性的分段式黑色焊带制备方法及分段式黑色焊带。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:一种分段式黑色焊带制备方法,包括以下步骤:
提供导电基带,并依次于导电基带的上表面、下表面交替设定若干段喷涂区域;
每一段喷涂区域内均喷涂以形成黑色涂层;
在与黑色涂层相对的导电基带上镀覆低熔点合金层;低熔点合金层的熔点比黑色有机物层的熔点低。
采用上述技术方案,焊接时,与电池片的正面和背面直接接触且呈熔融状态下的低熔点合金层与电池片形成欧姆接触,以使相邻的电池片实现电连接。由于黑色涂层的熔点高于低熔点合金层,因此,焊接时产生的热量不会对黑色涂层的结构造成破坏,再者,由于黑色涂层直接与与低熔点合金层相对的导电基带接触,与现有的黑色焊带相比,黑色涂层和导电基带之间不具有熔融状态且流动的低熔点合金,因此,能够有效地避免对黑色涂层均匀性的破坏,进而避免堆积龟裂和电池片对接失效等问题。
优选地,每一段喷涂区域内均喷涂以形成黑色涂层后,烘干上表面、下表面均具有黑色涂层的导电基带。
优选地,每一段黑色涂层的厚度均为5-20微米。
优选地,每一段低熔点合金层的厚度均为15-30微米。
优选地,导电基带是铜、镀锡铜、镀锡铅铜、镀锌铜或镀镍铜导电基带中的任意一种。
优选地,黑色涂层中含有耐高温树脂。
采用了上述技术方案,黑色涂层中含有耐高温树脂,能够提高黑色涂层的熔点,以有效地避免焊接温度对黑色涂层结构的影响。
优选地,耐高温树脂是PVDF可熔性氟碳树脂。
优选地,低熔点合金层包括Sn、Pb、Bi、Cd、In元素中的至少两种,且低熔点合金层的熔点低于160摄氏度。
采用了上述技术方案,低熔点合金层的温度低于160摄氏度,相对较低的焊接温度即可实现低熔点合金层与电池片的欧姆接触,较低温度实现焊接目的的同时,不会对黑色涂层的结构造成不利影响。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州隆基乐叶光伏科技有限公司,未经泰州隆基乐叶光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910748558.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制备含有α-氧化铝的氧化膜的方法以及器皿
- 下一篇:运算方法、系统及相关产品
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的