[发明专利]半导体存储装置及存储器系统

说明书

本发明的实施方式提供一种高速地动作的半导体存储装置及存储器系统。本发明的实施方式的半导体存储装置具备：存储单元阵列，包含多个存储单元；周边电路，连接于该存储单元阵列，根据包含命令数据及地址数据的命令集的输入而输出用户数据；第1焊垫电极，可用于命令集的输入及用户数据的输出；以及第2焊垫电极，可对周边电路供给电力。而且，在该半导体存储装置中，当开始输入命令集之后且命令集的输入结束之前，第2焊垫电极中流动的电流增大。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2018-229670号(申请日：2018年12月7日)作为基础申请的优先权。本申请是通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式关于一种半导体存储装置及存储器系统。

背景技术

已知有一种半导体存储装置，具备：存储单元阵列，包含多个存储单元；周边电路，连接于该存储单元阵列，且根据包含命令数据及地址数据的命令集的输入而输出用户数据；第1焊垫电极，可用于命令集的输入及用户数据的输出；以及第2焊垫电极，可对周边电路供给电力。

发明内容

实施方式提供一种高速地动作的半导体存储装置及存储器系统。

一实施方式的半导体存储装置具备：存储单元阵列，包含多个存储单元；周边电路，连接于存储单元阵列，且在被输入命令集的情况下，输出存储单元中所存储的数据，该命令集包含第1命令、在第1命令输入之后输入的地址数据及在地址数据输入之后输入的第2命令的命令集的情况下，输出存储单元中所存储的数据；第1电极，可用于命令集的输入及读出数据的输出；以及第2电极，可对周边电路供给电力。开始地址数据的输入之后且第2命令的输入结束之前在第2电极中流动的电流大于输入第1命令时第2电极中流动的电流。

附图说明

图1是表示第1实施方式的存储器系统100的构成的示意性方块图。

图2是表示第1实施方式的存储器系统100的构成例的示意性侧视图。

图3是表示第1实施方式的存储器系统100的构成例的示意性俯视图。

图4是表示第1实施方式的存储器裸片(die)MD的构成的示意性方块图。

图5是表示第1实施方式的存储器裸片MD的局部构成的示意性电路图。

图6是表示第1实施方式的存储器裸片MD的局部构成的示意性方块图。

图7是用以对第1实施方式的第1读出动作进行说明的时序图。

图8是用以对第1实施方式的第2读出动作进行说明的时序图。

图9是用以对比较例的第2读出动作进行说明的时序图。

图10是用以对第2实施方式的第2读出动作进行说明的时序图。

图11是用以对第3实施方式的第2读出动作进行说明的时序图。

图12是用以对第4实施方式的第2读出动作进行说明的时序图。

图13是用以对第5实施方式的第2读出动作进行说明的时序图。

图14是用以对第5实施方式的数据A501、A502进行说明的图。

具体实施方式

其次，参照附图对实施方式的半导体存储装置详细地进行说明。另外，以下的实施方式仅为一例，并非为了限定本发明而表示。