[发明专利]半导体存储装置及存储器系统

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

存储单元阵列，包含多个存储单元；

周边电路，连接于所述存储单元阵列，且在被输入命令集的情况下，输出所述存储单元中所存储的数据，该命令集包含第1命令、在所述第1命令输入之后输入的地址数据、及在所述地址数据输入之后输入的第2命令；

第1电极，可用于所述命令集的输入及所述读出数据的输出；以及

第2电极，可对所述周边电路供给电力；且

开始输入所述地址数据之后且所述第2命令的输入结束之前的所述第2电极中流动的电流大于输入所述第1命令时所述第2电极中流动的电流。

2.根据权利要求1的半导体存储装置，其特征在于：所述地址数据的输入结束后且所述第2命令的输入结束前的所述第2电极中流动的电流大于输入所述第1命令时所述第2电极中流动的电流。

3.根据权利要求1的半导体存储装置，其特征在于：所述地址数据的输入开始后且所述地址数据的输入结束前的所述第2电极中流动的电流大于输入所述第1命令时所述第2电极中流动的电流。

4.根据权利要求1或2的半导体存储装置，其特征在于：所述地址数据的输入结束后且所述第2命令的输入结束前的所述第2电极中流动的电流的平均值大于所述第1命令的输入后且所述地址数据的输入前的所述第2电极中流动的电流的平均值。

5.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

存储单元阵列，包含多个存储单元；

周边电路，连接于所述存储单元阵列，且在被输入命令集的情况下，输出所述存储单元中所存储的数据，该命令集包含第1命令、在所述第1命令输入之后输入的包含旗标信息的地址数据、及在所述地址数据输入之后输入的第2命令；

第1电极，可用于所述命令集的输入及所述读出数据的输出；以及

第2电极，可对所述周边电路供给电力；且

在所述旗标信息为第1值的情况下，在所述第2命令的输入结束后，所述第2电极中流动的电流大于输入所述第1命令时所述第2电极中流动的电流，

在所述旗标信息为第2值的情况下，在所述第2命令的输入结束前，所述第2电极中流动的电流大于输入所述第1命令时所述第2电极中流动的电流。

6.根据权利要求5的半导体存储装置，其特征在于：所述周边电路还具备传送所述读出数据的数据总线，

在所述旗标信息为第1值的情况下，在所述第2命令的输入结束后，开始所述数据总线的设置，

在所述旗标位为第2值的情况下，在所述第2命令的输入结束前，开始所述数据总线的设置。

7.一种存储器系统，其特征在于具备多个存储器芯片，所述多个存储器芯片具有：存储单元阵列，存储从第1端子输入的数据；周边电路，连接于所述存储单元阵列，且在被输入命令集的情况下，输出所述存储单元阵列中所存储的数据，该命令集包含第1命令、在所述第1命令输入之后输入的地址数据、及在所述地址数据输入之后输入的第2命令以及第2电极，可对所述周边电路供给电力；且

所述多个存储器芯片中所包含的第1存储器芯片中，所述地址数据的输入结束后且所述第2命令的输入结束前的所述第2电极中流动的第2电流大于输入所述第1命令时所述第2电极中流动的第1电流，

所述多个存储器芯片中所包含的第2存储器芯片中，所述地址数据的输入结束前所述第2电极中流动的第4电流大于输入所述第1命令时所述第2电极中流动的第3电流，且所述第2命令的输入结束前所述第2电极中流动的第5电流小于所述第4电流。