[发明专利]半导体结构以及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，包括：

提供一半导体基底；

在该半导体基底上形成一第一柱体及一第二柱体，其中该第一柱体的一第一上表面是高于该第二柱体的一第二上表面；

在该半导体基底、该第一柱体以及该第二柱体上形成一隔离层，其中该隔离层具有一第一突部以及一第二突部，该第一突部位在该第一柱体上，该第二突部位在该第二柱体上，该第一突部具有一第一顶表面，该第二突部具有一第二顶表面，且该第一顶表面是高于该第二顶表面；

形成一介电层，并覆盖该第二突部的该第二顶表面，且覆盖该第一突部的该第一顶表面的一部分；

在暴露该第一顶表面的一部分之后，执行一第一蚀刻制程，以在第 一柱体上形成一第一接触沟槽，其中该隔离层是从位在该第一柱体上的该第一顶表面的该部分进行蚀刻；

移除该介电层的一部分，以暴露位在该第二柱体上的该第二顶表面的一部分；

执行一第二蚀刻制程，以在该第二柱体上形成一第二接触沟槽，其中该隔离层是从位在该第二柱体上的该第二顶表面的该部分进行蚀刻；

在该第一接触沟槽中沉积一第一接触材料，以形成一第一接触垫；以及

在该第二接触沟槽中沉积一第二接触材料，以形成一第二接触垫。

2.如权利要求1所述的制备方法，其中位在该第一柱体及该第二柱体上的该隔离层，是由一共面沉积制程形成。

3.如权利要求2所述的制备方法，还包括：

该隔离层在该第一柱体与该第二柱体之间形成一连接部位，其中该连接部位是具有一连接表面，该连接表面位在该第一顶表面与该第二顶表面之间，且该连接表面是低于该第一顶表面与该第二顶表面。

4.如权利要求3所述的制备方法，其中该连接部位、该第一突部以及该第二突部是为一体成形。

5.如权利要求1所述的制备方法，还包括：

形成一蚀刻终止层，以覆盖该半导体基底、该第一柱体以及该第二柱体，其中该隔离层是形成在该蚀刻终止层上。

6.如权利要求5所述的制备方法，还包括：

于执行该第一蚀刻制程之后，将位在该第一柱体上的该蚀刻终止层的一第一顶部进行移除；以及

于执行该第二蚀刻制程之后，将位在该第二柱体上的该蚀刻终止层的一第二顶部进行移除。

7.如权利要求1所述的制备方法，其中该介电层是由一旋涂式沉积所形成。

8.如权利要求7所述的制备方法，其中该介电层是形成来覆盖该第一突部的该第一顶表面以及该第二突部的该第二顶表面。

9.如权利要求8所述的制备方法，还包括：

于执行该第一蚀刻制程之前，移除该介电层的一部分，以暴露位在该第一柱体上的该第一顶表面的一部分。

10.如权利要求1所述的制备方法，其中该隔离层及该介电层具有不同蚀刻率。

11.如权利要求1所述的制备方法，还包括：

于执行该第二蚀刻制程之后，经由一平坦化制程而完全地移除该介电层。

12.如权利要求11所述的制备方法，其中该介电层是由一化学机械研磨制程所移除。