[发明专利]存储设备及其操作方法

说明书

一种存储设备，包括非易失性存储器设备、动态随机存取存储器(DRAM)设备和存储控制器，该存储设备的操作方法包括：对DRAM设备执行访问操作，基于访问操作收集关于DRAM设备的累积的错误信息，基于累积的错误信息检测DRAM设备的故障行，以及基于检测到的故障行执行运行时修复操作。

相关申请的交叉引用

本公开要求于2018年8月14日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2018-0095016的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及半导体存储器，更具体地，涉及存储设备和操作存储设备的方法。

背景技术

半导体存储器可以分类为易失性存储器设备和非易失性存储器没备，当电力中断时易失性存储器设备所存储的数据丢失，例如静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)，非易失性存储器设备所存储的数据即使在电力中断时也保留，例如闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM)。

基于闪存的固态驱动(SSD)广泛用作计算设备的高容量存储介质。SSD通常配置为将数据存储到闪存，并且使用动态随机存取存储器(DRAM)设备作为缓冲存储器，以便存储用于管理闪存的各种信息。在制造DRAM设备的过程中检测到DRAM设备的故障的情况下，可以通过各种修复方案修复故障单元。然而，在DRAM设备完全制造并安装在SSD设备中之后，在DRAM设备中发生故障的情况下(即，在SSD设备提供给最终用户并由最终用户使用的情况下)，除了DRAM设备，SSD设备也无法正常操作。

发明内容

本发明构思的实施例提供了具有提高的可靠性和提高的寿命的存储设备及其操作方法。

本发明构思的实施例提供了一种存储设备的操作方法，该存储设备包括非易失性存储器设备、包括多个行的动态随机存取存储器(DRAM)设备和存储控制器。存储设备的操作方法包括：存储控制器对DRAM设备执行访问操作；存储控制器基于访问操作收集关于DRAM设备的累积的错误信息；存储控制器基于累积的错误信息从DRAM设备的多个行中检测故障行；以及存储控制器对故障行执行运行时修复操作。

本发明构思的实施例还提供了一种存储设备，该存储设备包括：非易失性存储器设备；动态随机存取存储器(DRAM)设备；以及存储控制器，其控制非易失性存储器设备和DRAM设备。存储控制器包括：DRAM纠错单元，其对从DRAM设备读取的数据执行错误检测和校正操作；以及修复管理器，其基于DRAM纠错单元检测到的错误来管理累积的错误信息，基于累积的错误信息检测DRAM设备的故障行，并对故障行执行运行时修复操作。

本发明构思的实施例还提供了一种存储设备的操作方法，该存储设备包括非易失性存储器设备、易失性存储器设备、以及控制非易失性存储器设备和易失性存储器设备的存储控制器。该操作方法包括：存储控制器从易失性存储器设备读取数据；存储控制器对所读取的数据执行错误检测和校正操作；存储控制器基于错误检测和校正操作的结果，更新关于易失性存储器设备的多个行中的每一行的累积的错误信息；存储控制器基于更新的累积的错误信息检测易失性存储器设备的故障行；以及存储控制器对故障行执行运行时修复操作。运行时修复操作在存储设备操作期间执行。

本发明构思的实施例还提供了一种计算系统，包括存储设备和被配置为控制存储设备的主机。存储设备包括非易失性存储器设备；动态随机存取存储器(DRAM)设备，包括多个行；以及存储控制器，被配置为：基于从DRAM设备读取的数据收集关于DRAM设备的累积的错误信息，基于累积的错误信息从DRAM设备的多个行中检测故障行，并在存储设备的运行期间对故障行执行运行时修复操作。

附图说明

鉴于以下参考附图对示例性实施例的详细描述，本发明构思的上述和其他目的和特征将变得显而易见。