[发明专利]存储设备及其操作方法在审
| 申请号: | 201910742162.5 | 申请日: | 2019-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN110825321A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
| 发明(设计)人: | 金东;殷亨来 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F11/07 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李敬文 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 设备 及其 操作方法 | ||
1.一种存储设备的操作方法,所述存储设备包括非易失性存储器设备、包括多个行的动态随机存取存储器DRAM设备和存储控制器,所述方法包括:
所述存储控制器对所述DRAM设备执行访问操作;
所述存储控制器基于所述访问操作收集关于所述DRAM设备的累积的错误信息;
所述存储控制器基于所述累积的错误信息从所述DRAM设备的多个行中检测故障行;以及
所述存储控制器对所述故障行执行运行时修复操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述访问操作包括从所述DRAM设备读取数据的操作以及与所读取的数据相关联的错误检测和校正操作。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述累积的错误信息指示对于所述DRAM设备的所述多个行中的每一行,通过所述错误检测和校正操作检测到的错误比特的累积计数。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述故障行是所述多个行中累积的错误比特计数大于参考值的行。
5.根据权利要求3所述的方法,还包括:
在所述存储控制器的RAM中存储所述累积的错误信息;
当所述存储设备断电时,将存储在所述RAM中的所述累积的错误信息清空到所述非易失性存储器设备;以及
当所述存储设备通电时,将所述累积的错误信息从所述非易失性存储器设备加载到所述RAM。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,执行运行时修复操作包括:
将存储在所述DRAM设备中的数据中的部分数据或存储在所述DRAM设备中的全部数据清空到所述非易失性存储器设备;
对所述DRAM设备的故障行执行封装后修复操作;以及
在所述封装后修复操作之后将清空到所述非易失性存储器设备的所述部分数据或所述全部数据恢复到所述DRAM设备。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,执行封装后修复操作包括:使用模式寄存器设置命令、地址信号、激活命令、自动预充电写入命令和预充电命令。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述部分数据是存储在所述DRAM设备的多个存储体之中包括所述故障行的存储体中的数据。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,执行运行时修复操作包括:
将所述DRAM设备的所述故障行重新映射到所述DRAM设备中的保留区域的保留行中;以及
基于与所述故障行相对应的故障地址和与所述保留行相对应的保留地址来更新重映射表。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括:
所述存储控制器生成与所述DRAM没备的用户区域相关联的原始地址;
当所述多个行中与所述原始地址相对应的行是所述故障行时,所述存储控制器基于所述重映射表访问所述保留区域;以及
当与所述原始地址相对应的行不是所述故障行时,所述存储控制器访问与所述原始地址相对应的所述用户区域。
11.根据权利要求9所述的方法,还包括:
在所述存储设备的空闲状态期间,基于所述重映射表对所述DRAM设备执行封装后修复操作。
12.一种存储设备,包括:
非易失性存储器设备;
动态随机存取存储器DRAM设备;以及
存储控制器,被配置为控制所述非易失性存储器设备和所述DRAM设备,
其中,所述存储控制器包括:
DRAM纠错单元,被配置为对从所述DRAM设备读取的数据执行错误检测和校正操作,和
修复管理器,被配置为基于所述DRAM纠错单元检测到的错误来管理累积的错误信息,基于所述累积的错误信息检测所述DRAM设备的故障行,并对所述故障行执行运行时修复操作。
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