[发明专利]陶瓷壳体及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种制作陶瓷壳体的方法，其特征在于，包括：

提供陶瓷壳体生坯，所述陶瓷壳体生坯包括陶瓷基板生坯和盖板生坯，所述陶瓷基板生坯中具有通孔，所述盖板生坯设置在所述通孔中；

对所述陶瓷壳体生坯进行烧结处理，以基于所述陶瓷基板生坯形成陶瓷基板，基于所述盖板生坯形成盖板，所述陶瓷基板和所述盖板通过所述烧结处理熔结为一体，所述盖板的光透过率为不小于70%，以便得到所述陶瓷壳体；

所述提供陶瓷壳体生坯包括：对第一陶瓷材料进行第一成型处理，得到所述盖板生坯；

所述第一成型处理进一步包括：将所述第一陶瓷材料注塑成型，并经过第一脱脂处理以及第一预烧结处理，得到盖板预烧坯，对所述盖板预烧坯进行第一切割处理，得到所述盖板生坯，其中，所述第一脱脂处理的温度为400-900℃，所述第一预烧结处理的温度为1200-1400℃；

所述烧结处理包括：

对所述陶瓷壳体生坯进行第一烧结处理，所述第一烧结处理的温度为1500~1600℃；

所述第一烧结处理之后，所述陶瓷壳体生坯的致密度不小于99%，所述陶瓷壳体生坯的气孔率不大于1%；

所述第一烧结处理之后，所述烧结处理进一步包括：

对经过所述第一烧结处理的所述陶瓷壳体生坯进行第二烧结处理，得到所述陶瓷壳体，所述第二烧结处理包括热等静压烧结处理，所述热等静压烧结处理的压力为100~250MPa；所述热等静压烧结处理的温度为1400~1700℃；

其中，所述第一陶瓷材料包括二氧化锆，所述二氧化锆中的立方相二氧化锆的含量为60~100wt%；

所述第一陶瓷材料进一步包括：60~100重量份的所述立方相二氧化锆；0~20重量份的三氧化二钇；0~40重量份的二氧化铈；以及0~20重量份的二氧化钛，其中，所述三氧化二钇和所述二氧化铈的重量份不同时为0。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供陶瓷壳体生坯进一步包括：

通过双色注塑工艺将第一陶瓷材料和第二陶瓷材料同步注塑成型，所述第一陶瓷材料形成所述盖板生坯，所述第二陶瓷材料形成所述陶瓷基板生坯。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供陶瓷壳体生坯进一步包括：

对第二陶瓷材料进行第二成型处理，得到具有所述通孔的所述陶瓷基板生坯；

将所述盖板生坯设置在所述陶瓷基板生坯的所述通孔中。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述盖板预烧坯的致密度为60%-90%，所述盖板预烧坯的气孔率为10%-40%。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二成型处理进一步包括：将所述第二陶瓷材料注塑成型，并经过第二脱脂处理以及第二预烧结处理，得到陶瓷基板预烧坯，对所述陶瓷基板预烧坯进行第二切割处理，得到具有所述通孔的所述陶瓷基板生坯。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二脱脂处理的温度为400-900℃，所述第二预烧结处理的温度为900-1200℃，所述陶瓷基板预烧坯的致密度为60%-90%，所述陶瓷基板预烧坯的气孔率为10%-40%。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二烧结处理在惰性气体氛围中进行，所述惰性气体的纯度不小于99.9%。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，经过所述热等静压烧结处理之后形成的所述盖板中，所述二氧化锆中的所述立方相二氧化锆的含量不小于95wt%。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述陶瓷壳体生坯进行烧结处理之后，所述方法进一步包括：

对所述陶瓷壳体进行后处理，以便得到具有特定形状的所述陶瓷壳体。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述后处理包括平磨处理、数控加工处理以及抛光处理的至少之一。