[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一半导体层，包括第一区域和第二区域；

多个第一沟道层，在第一区域中并且在第一半导体层上沿垂直方向彼此隔开；

第一栅电极，围绕所述多个第一沟道层；

多个第二沟道层，在第二区域中并且在第一半导体层上沿垂直方向彼此隔开；以及

第二栅电极，围绕所述多个第二沟道层，

其中，所述多个第一沟道层中的每个具有第一晶向，所述多个第二沟道层中的每个具有不同于第一晶向的第二晶向，其中，所述多个第一沟道层中的至少一个的厚度大于所述多个第二沟道层中的至少一个的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一晶向是(100)取向，并且第二晶向是(110)取向。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第二沟道层中的每个具有相同的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第二沟道层中的每个的厚度小于所述多个第一沟道层中的每个的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第二沟道层具有不同的厚度。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个第二沟道层包括在第二栅电极下方的依次的第一子沟道层、第二子沟道层和第三子沟道层，并且第三子沟道层的厚度大于第一子沟道层和第二子沟道层的厚度，并且第一子沟道层比第三子沟道层靠近第一半导体层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一沟道层的数量不同于所述多个第二沟道层的数量。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述多个第二沟道层中的每个具有相同厚度，并且所述多个第二沟道层中的每个的厚度小于所述多个第一沟道层中的每个的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

掩埋绝缘层，在第一区域中并且位于第一半导体层与第一栅电极之间；

第二半导体层，在掩埋绝缘层上沿一个方向延伸。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，第二半导体层具有第一晶向。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

基体层，在第二区域中并且位于第二栅电极与第一半导体层之间，其中，基体层具有第二晶向。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，第一半导体层具有第二晶向。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：器件隔离层，在第二区域中覆盖第一半导体层的上表面和基体层的侧表面。

14.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一半导体层，包括n型金属氧化物半导体区域和p型金属氧化物半导体区域；

掩埋绝缘层，位于n型金属氧化物半导体区域中并且在第一半导体层上；

第二半导体层，位于掩埋绝缘层上；

基体层，位于p型金属氧化物半导体区域中并且在第一半导体层上；

多个第一沟道层，包括硅，并且在第二半导体层上沿垂直方向彼此隔开；

第一栅电极，围绕所述多个第一沟道层；

多个第二沟道层，包括硅，并且在基体层上沿垂直方向彼此隔开；以及

第二栅电极，围绕所述多个第二沟道层，

其中，所述多个第一沟道层中的每个具有第一晶向，并且所述多个第二沟道层中的每个具有不同于第一晶向的第二晶向，并且

其中，基体层具有第二晶向。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，第一晶向是(100)取向，并且第二晶向是(110)取向。