[发明专利]一种基于半浮栅的4T像素结构有效
| 申请号： | 201910740406.6 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN112399106B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 徐江涛;李凤;史兴萍;王瑞硕;夏梦真 | 申请（专利权）人： | 天津大学青岛海洋技术研究院 |
| 主分类号： | H04N25/779 | 分类号： | H04N25/779 |
| 代理公司： | 青岛致嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 37236 | 代理人： | 张晓艳 |
| 地址： | 266200 山东省青岛市鳌*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半浮栅 像素 结构 | ||
1.一种基于半浮栅的4T像素结构，其特征在于：包含一个半浮栅器件MSFG，三个开关管和一个电容；其中半浮栅器件用于收集信号电荷；电容类似于传统4T像素中的光电转换区，可以是任意类型的电容，据具体设计而定，电容用于将半浮栅器件输出的电流信号转换为电压信号；三个开关管可以是任意类型的开关管，据具体设计而定，分别用作源极跟随器MSF、复位管MRST和选择管MSEL；其中源极跟随器用于信号放大，复位管用于对电容中的信号进行复位；选择管用于通过时序控制像素阵列行信号的输出；半浮栅MSFG栅极接控制线号CG，源极接固定电压，漏极同时接复位管源极/漏极、源极跟随器MSF栅极以及电容一端；复位管MRST漏极/源极接电源，源极/漏极同时接电容、MSFG漏极以及MSF栅极；电容一端接地，另一端同时接MSFG漏极、复位管源极/漏极以及MSF栅极；源极跟随器MSF的栅极同时连接复位管源极/漏极、电容以及MSFG漏极，漏极/源极接电源，源极/漏极接选择管MSEL的漏极/源极；MSEL的源极/漏极接列总线，漏极/源极接源极跟随器；上述所有开关管，若为NMOS管则衬底接地，若为PMOS管则衬底接电源；半浮栅器件MSFG采用NMOS管，宽长比为(1.2μm)/(0.6μm)；复位管MRST采用NMOS管，宽长比为(0.45μm)/(0.4μm)；源极跟随器MSF采用NMOS管，宽长比为(0.45μm)/(0.6μm)；选择管MSEL采用NMOS管，宽长比为(0.45μm)/(0.4μm)；电容采用PIP型电容结构，电容值采用1.6fF。
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