[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具备：上侧电极板及下侧电极板；及上述上侧电极板与上述下侧电极板之间的多个半导体元件。在上述上侧电极板与第1半导体元件之间及上述上侧电极板与第2半导体元件之间，分别配置有第1及第2金属板。上述第1半导体元件配置于上述上侧电极板的中央部与上述下侧电极板的中央部之间。上述上侧电极板包括与上述第1半导体元件电连接的第1上侧极和与上述第2半导体元件电连接的第2上侧极。上述第1半导体元件的厚度、上述第1金属板的厚度及上述第1上侧极的高度的合计是第1总长，上述第2半导体元件的厚度、上述第2金属板的厚度及上述第2上侧极的高度的合计即第2总长比上述第1总长更长。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－44004号(申请日：2019年3月11日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

在电力控制用的半导体装置中，有将MOSFET、IGBT(Insulated Gate bipolartransistor)、二极管等的半导体元件并排配置在2个电极板间的半导体装置。半导体元件，为了对在2个电极板间流动的大电流进行开关控制，例如被压接并电连接于2个电极板。但是，在2个电极板间，高温动作时的热的放散变得不均匀时，起因于各电极板内的热膨胀差，而对半导体元件施加的压力产生不均匀。因此，在高温动作时半导体元件可能发生破坏，而使半导体装置的可靠性降低。

发明内容

实施方式提供使可靠性提高的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：上侧电极板；下侧电极板，与上述上侧电极板对置；多个半导体元件，配置在上述上侧电极板与上述下侧电极板之间，与上述上侧电极板及上述下侧电极板并联连接；以及多个金属板，分别配置在上述上侧电极板与上述多个半导体元件之间。上述上侧电极板在上述下侧电板极侧包括多个上侧极，上述多个上侧极经由上述多个金属板而与上述多个半导体元件分别电连接。上述多个半导体元件包括：第1半导体元件，配置在上述上侧电极板的中央部与上述下侧电极板的中央部之间；第2半导体元件，与上述第1半导体元件相比配置于靠外侧。上述多个金属板包括第1金属板及第2金属板，上述第1金属板配置于上述上侧电极板与上述第1半导体元件之间，上述第2金属板配置于上述上侧电极板与上述第2半导体元件之间。上述多个上侧极，包括：第1上侧极，经由上述上侧电极板而与上述第1半导体元件电连接，具有沿着从上述上侧电极板朝向上述下侧电极板的第1方向的第1高度；和第2上侧极，经由上述上侧电极板而与上述第2半导体元件电连接，具有沿着上述第1方向的第2高度。上述第1半导体元件的沿着上述第1方向的厚度、上述第1金属板的沿着上述第1方向的厚度及上述上侧极的上述第1高度的合计是第1总长。上述第2半导体元件的沿着上述第1方向的厚度、上述第2金属板的沿着上述第1方向的厚度及上述第2上侧极的上述第2高度的合计是第2总长，上述第2总长比上述第1总长更长。

附图说明

图1A及图1B是表示实施方式的半导体装置的示意图。

图2是表示实施方式的半导体装置的构成要素的示意图。

图3是表示比较例的半导体装置的示意图。

图4是表示实施方式的变形例的半导体装置的构成要素的示意图。

图5是表示实施方式的其他变形例的半导体装置的构成要素的示意图。

图6A及图6B是表示实施方式的又其他的变形例的半导体装置的构成要素的示意图。

图7是表示实施方式的变形例的半导体装置的示意图。

具体实施方式