[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

上侧电极板；

下侧电极板，与上述上侧电极板对置；

多个半导体元件，配置在上述上侧电极板与上述下侧电极板之间，与上述上侧电极板及上述下侧电极板并联连接；以及

多个金属板，分别配置在上述上侧电极板与上述多个半导体元件之间，

上述上侧电极板在上述下侧电极板侧包括多个上侧极，上述多个上侧极经由上述多个金属板而与上述多个半导体元件分别电连接，

上述多个半导体元件包括：第1半导体元件，配置在上述上侧电极板的中央部与上述下侧电极板的中央部之间；和第2半导体元件，与上述第1半导体元件相比配置于靠外侧；

上述多个金属板包括第1金属板及第2金属板，上述第1金属板配置于上述上侧电极板与上述第1半导体元件之间，上述第2金属板配置于上述上侧电极板与上述第2半导体元件之间，

上述多个上侧极，包括：第1上侧极，经由上述上侧电极板而与上述第1半导体元件电连接，具有沿着从上述上侧电极板朝向上述下侧电极板的第1方向的第1高度；和第2上侧极，经由上述上侧电极板而与上述第2半导体元件电连接，具有沿着上述第1方向的第2高度；

上述第1半导体元件的沿着上述第1方向的厚度、上述第1金属板的沿着上述第1方向的厚度及上述第1上侧极的第1高度的合计是第1总长，

上述第2半导体元件的沿着上述第1方向的厚度、上述第2金属板的沿着上述第1方向的厚度及上述第2上侧极的第2高度的合计是第2总长，

上述第2总长比上述第1总长更长。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

上述多个上侧极具有相同的高度，

上述第1半导体元件，具有与上述第2半导体元件的上述第1方向上的厚度相同的上述第1方向的厚度，

上述第1金属板具有沿着上述第1方向的第1厚度，

上述第2金属板具有沿着上述第1方向的第2厚度，上述第2厚度比上述第1厚度更厚。

3.如权利要求2所述的半导体装置，

还具备其他金属板，该其他金属板分别配置于上述下侧电极板与上述多个半导体元件之间，

上述下侧电极板具有多个下侧极，该多个下侧极分别经由上述其他金属板而与上述多个半导体元件电连接。

4.如权利要求1所述的半导体装置，

上述多个金属板的材料具有比上述上侧电极板的材料高的硬度。

5.如权利要求1所述的半导体装置，

上述上侧电极板包含铜或者铝，

上述多个金属板包含钼。

6.如权利要求2所述的半导体装置，

上述上侧电极板具有第1表面、和位于上述第1表面的相反侧的第2表面，

上述多个半导体元件位于上述上侧电极板的第1表面侧，

上述多个半导体元件还包括位于上述第1半导体元件与上述第2半导体元件之间的第3半导体元件，上述第1半导体元件～上述第3半导体元件在沿着上述上侧电极板的上述第2表面的第2方向上排列，该第2方向是从上述上侧电极板的中央朝向外缘的方向，

上述多个金属板还包括第3金属板，该第3金属板位于上述上侧电极板与上述第3半导体元件之间，具有沿着上述第1方向的第3厚度，

上述第3厚度，比上述第2金属板的上述第2厚度薄，且与上述第1金属板的上述第1厚度相同或者比上述第1厚度厚。

7.如权利要求1所述的半导体装置，

上述多个上侧极具有相同的上述高度，

上述第1金属板，具有与上述第2金属板的沿着上述第1方向的厚度大致相同的沿着上述第1方向的厚度，

上述第1半导体元件具有沿着从上述上侧电极板朝向上述下侧电极板的第1方向的第1厚度，

上述第2半导体元件具有沿着上述第1方向的第2厚度，上述第2厚度比上述第1厚度更厚。