[发明专利]芯片转移方法有效
申请号: | 201910738573.7 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN110429051B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 刘召军;邱成峰;莫炜静;郑汉宇 | 申请(专利权)人: | 深圳市思坦科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/48 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 转移 方法 | ||
1.一种芯片转移方法,其特征在于,包括:
将弹性膜的第一表面覆盖于至少两个待转移芯片的第一侧,以吸附具有第一间距的所述至少两个待转移芯片,所述弹性膜的第一表面涂覆有胶层,其中,所述第一间距为两个相邻芯片之间的间距,是晶圆被切割后的原始间距,或是所述至少两个待转移芯片经过重新排布后两个相邻芯片之间的间距;第二间距根据目标件上预设的芯片转移位置进行设定的,所述第二间距与所述目标件上预设的芯片转移位置相等;
在至少一个方向上拉伸所述弹性膜以调整所述至少两个待转移芯片的之间距离为第二间距;
所述弹性膜上还包括预设的拉伸点,拉伸点包括若干个第一拉伸点和第二拉伸点,第一拉伸点为纵向拉伸点,第二拉伸点为横向拉伸点;
所述弹性膜上还设有第一位置标记,第一位置标记的位置根据拉伸程度不同相对位置也发生变化;
将拉伸后的所述弹性膜的第一表面覆盖在目标件上,以将所述至少两个待转移芯片以所述第二间距转移至所述目标件;
所述目标件对至少两个待转移芯片第二表面的粘性大于弹性件对至少两个待转移芯片第一表面的粘性;
所述将所述弹性膜的第一表面覆盖于至少两个待转移芯片的第一侧之前,还包括:
对承载所述至少两个待转移芯片的芯片基板进行切割,以分离所述至少两个待转移芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,所述将拉伸后的所述弹性膜的第一表面覆盖在目标件上,以将所述至少两个待转移芯片以所述第二间距转移至所述目标件之后,还包括:
将所述弹性膜的第一表面与所述至少两个待转移芯片的第一侧分离。
3.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,所述弹性膜上还设有第一位置标记,所述将弹性膜的第一表面覆盖于至少两个待转移芯片的第一侧包括:
根据第一位置标记将所述弹性膜的第一表面覆盖于至少两个待转移芯片的第一侧。
4.根据权利要求3所述的芯片转移方法,其特征在于,所述目标件还设有第二位置标记,所述将拉伸后的所述弹性膜的第一表面覆盖在目标件上包括:
根据所述第一位置标记和所述第二位置标记将拉伸后的所述弹性膜的第一表面覆盖在目标件上。
5.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,所述将拉伸后的所述弹性膜的第一表面覆盖在目标件上之前,还包括:
在目标件的预设位置上涂覆焊接料。
6.根据权利要求5所述的芯片转移方法,其特征在于,所述在目标件的预设位置上涂覆焊接料之后还包括:
加热所述目标件以融化焊接料;
将拉伸后的所述弹性膜的第一表面覆盖在目标件上,以将所述至少两个待转移芯片以所述第二间距转移至所述目标件,还包括:
根据所述预设位置将拉伸后的所述弹性膜的第一表面覆盖在目标件上;
通过冷却所述焊接料将所述至少两个待转移芯片的第二侧与目标件固定连接。
7.根据权利要求2所述的芯片转移方法,其特征在于,所述胶层为紫外失粘胶,所述将所述弹性膜的第一表面与所述至少两个待转移芯片的第一侧分离之前还包括:
使用紫外光线照射涂覆有所述胶层的所述弹性膜,以降低所述至少两个待转移芯片的第一侧与所述弹性膜的粘性。
8.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,所述将拉伸后的所述弹性膜的第一表面覆盖在目标件上之后还包括:
通过刚性按压件按压所述弹性膜的第二表面以将所述至少两个待转移芯片的第二侧与所述目标件连接。
9.根据权利要求8所述的芯片转移方法,其特征在于,所述刚性按压件为平板状或滚筒状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造