[发明专利]半导体封装、芯片贴装膜及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910738425.5 申请日: 2019-08-12
公开(公告)号: CN111725073A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 岸博明 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/488;H01L23/367;H01L23/373
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 牛玉婷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 芯片 贴装膜 及其 制造 方法
【说明书】:

实施方式涉及半导体封装、芯片贴装膜以及其制造方法。实施方式的芯片贴装膜的制造方法具备:在支承板上形成多个柱的工序;在所述柱之间形成热传导率比所述柱的热传导率低的粘合剂层的工序;以及去除所述支承板的工序。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2019-52326号(申请日:2019年3月20日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体封装、芯片贴装膜及其制造方法。

背景技术

以往,开发了如下半导体封装:经由芯片贴装膜(Die Attach Film:DAF)将半导体芯片固定于引线架、并利用树脂部件将引线架与半导体芯片密封而成的半导体封装。在半导体芯片的发热量大的情况下,半导体封装被要求较高的散热性。

发明内容

实施方式提供散热性高的半导体封装、芯片贴装膜以及其制造方法。

实施方式的芯片贴装膜的制造方法具备:在支承板上形成多个柱的工序;在所述柱之间形成热传导率比所述柱的热传导率低的粘合剂层的工序;以及去除所述支承板的工序。

实施方式的芯片贴装膜具备:粘合剂层;以及多个柱,该多个柱设于所述粘合剂层中,在所述粘合剂层的第一面中露出,且热传导率比所述粘合剂层的热传导率高。

实施方式的半导体封装具备:引线架、半导体芯片、芯片贴装膜以及树脂部件,所述芯片贴装膜与所述引线架以及所述半导体芯片相接,将所述半导体芯片固定于所述引线架;所述树脂部件将所述引线架的至少一部分、所述半导体芯片及所述芯片贴装膜覆盖。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体封装的剖面图。

图2是表示第一实施方式的半导体封装的俯视图。

图3A是表示第一实施方式的芯片贴装膜的立体图,图3B是其剖面图。

图4是表示第一实施方式的第一变形例的芯片贴装膜的俯视图。

图5A是表示第一实施方式的第二变形例的芯片贴装膜的立体图,图5B是其俯视图。

图6是表示第一实施方式的第三变形例的半导体封装的俯视图。

图7是表示第一实施方式的第四变形例的芯片贴装膜的俯视图。

图8A是表示第二实施方式的芯片贴装膜的制造方法的立体图,图8B是其剖面图。

图9A是表示第二实施方式的芯片贴装膜的制造方法的立体图,图9B是其剖面图。

图10A是表示第二实施方式的芯片贴装膜的制造方法的立体图,图10B其剖面图。

图11A是表示第二实施方式的芯片贴装膜的制造方法的立体图,图11B其剖面图。

图12A是表示第二实施方式的芯片贴装膜的制造方法的立体图,图12B是其剖面图。

图13A是表示第二实施方式的芯片贴装膜的制造方法的立体图,图13B是其剖面图。

图14A是表示第二实施方式的芯片贴装膜的制造方法的立体图,图14B是其剖面图。

图15A是表示第二实施方式的芯片贴装膜的制造方法的立体图,图15B是其剖面图。

图16A是表示第三实施方式的芯片贴装膜的制造方法的立体图,图16B是其剖面图。

图17A是表示第三实施方式的芯片贴装膜的制造方法的立体图,图17B是其剖面图。

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