[发明专利]一种DRAM的低功耗模式的实现方法及终端

权利要求书

1.一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，包括步骤：

确定对所述DRAM进行数据访问的应用类型；

根据所述应用类型配置对应的低功耗模式的控制策略。

2.根据权利要求1所述的一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，若所述DRAM为多通道DRAM，则将不同应用类型访问的数据存储至不同的DRAM通道。

3.根据权利要求1所述的一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，若所述DRAM为多通道DRAM，则为不同的DRAM通道独立配置对应的低功耗模式的控制策略。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，所述低功耗模式的控制策略的配置在数据访问过程中可以进行动态调整。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，所述低功耗模式的控制策略包括对低功耗模式的类型的选择和/或对选择的低功耗模式的进入时间和/或退出时间的控制。

6.根据权利要求5所述的一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，若对所述DRAM的数据访问为帧数据访问，则每一帧数据访问结束，立即控制所述DRAM进入所选择的第一低功耗模式。

7.根据权利要求6所述的一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，还包括：

根据所述帧数据访问的帧间隔定时触发所述DRAM退出所选择的第一低功耗模式。

8.根据权利要求7所述的一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，所述定时触发的触发时间为：下一帧有效数据的访问时间减去所选择的第一低功耗模式退出消耗的时间。

9.根据权利要求5所述的一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，若对所述DRAM的数据访问为屏幕数据访问，则所述屏幕数据的每一行数据访问结束，立即控制所述DRAM进入所选择的第二低功耗模式；

所述屏幕数据的每一帧数据访问结束，立即控制所述DRAM进入所选择的第三低功耗模式。

10.根据权利要求9所述的一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，还包括：

根据所述屏幕数据访问的行间隔定时触发所述DRAM退出所选择的第二低功耗模式；

根据所述屏幕数据访问的帧间隔定时触发所述DRAM退出所选择的第三低功耗模式。

11.根据权利要求10所述的一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，所述定时触发所述第二低功耗模式退出的触发时间为：下一行有效数据的访问时间减去所选择的第二低功耗模式退出消耗的时间；

所述定时触发所述第三低功耗模式退出的触发时间为：下一帧有效数据的访问时间减去所选择的第三低功耗模式退出消耗的时间。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的一种DRAM的低功耗模式的实现方法，其特征在于，所述第二低功耗模式为断电模式；

所述第三低功耗模式为自刷新模式。

13.一种DRAM的低功耗模式的实现终端，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：

确定对所述DRAM进行数据访问的应用类型；

根据所述应用类型配置对应的低功耗模式的控制策略。

14.根据权利要求13所述的一种DRAM的低功耗模式的实现终端，其特征在于，若所述DRAM为多通道DRAM，则将不同应用类型访问的数据存储至不同的DRAM通道。