[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板包括依次层叠设置的玻璃基板、阻隔层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层、钝化层和像素电极。所述制作方法包括：提供一玻璃基板、制作阻隔层、制作缓冲层、制作有源层、制作栅极绝缘层、制作栅极层、图案化步骤、等离子体掺杂步骤、制作层间绝缘层、制作源漏极层、制作钝化层以及制作像素电极。本发明通过在制作所述有源层和制作所述栅极层时通过设计所述光阻层的横截面呈凸字型，通过修正光阻层的方式改变其宽度，从而可共用一道半色调掩膜板来完成两道光罩制程，减少了掩膜板使用的数目，有利于提高生产效率，降低制程成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种顶栅自对准结构的阵列基板及其制作方法。

背景技术

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多有益效果，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)。

目前，在有源阵列平面显示装置中，阵列基板通常采用单栅极氧化物半导体薄膜晶体管(Single-Gate TFT)，也称顶栅自对准结构的阵列基板，在其制作方法中采用的光罩制程需使用的掩膜板(Mask)数量过多，适用于氧化物半导体TFT阵列基板的制程较为繁琐，生产效率较低，制程成本较高。

因此，确有必要来开发一种新型的阵列基板及其制作方法，来克服现有技术中的缺陷。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制作方法，通过在制作有源层(氧化物半导体)和栅极层时共用一道半色调(Half-tone)掩膜板来完成图案化处理，从而减少了掩膜板使用的数目，提高了生产效率，降低了制程成本。

为了实现上述目的，本发明一实施例中提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

提供一玻璃基板，并清洗所述玻璃基板；

制作阻隔层，在所述玻璃基板上制作阻隔层并图案化处理；

制作缓冲层，在所述阻隔层上制作缓冲层；

制作有源层，在所述缓冲层上制作有源层；

制作栅极绝缘层，在所述有源层上制作栅极绝缘层；

制作栅极层，在所述栅极绝缘层上制作栅极层；

图案化步骤，在所述栅极层上制作光阻层，依次蚀刻所述栅极层、所述栅极绝缘层以及所述有源层，得到所述栅极层、所述栅极绝缘层以及所述有源层；修正光阻层并再次蚀刻去除所述栅极层、所述栅极绝缘层的边缘部分并裸露所述有源层的两端；

等离子体掺杂步骤，移除所述光阻层并对所述有源层的两端进行等离子体掺杂，以在所述有源层上形成掺杂区和沟道区；

制作层间绝缘层，在所述栅极层上制作层间绝缘层并图案化处理；

制作源漏极层，在所述层间绝缘层上制作源漏极层并图案化处理；

制作钝化层，在所述源漏极层上制作钝化层；以及

制作像素电极，在所述钝化层上制作像素电极。

进一步地，所述图案化步骤具体包括：

制作光阻层步骤，在所述栅极层上涂覆一层光阻材料，使用半色调掩膜板对其进行黄光(UV光)照射方式曝光并显影，形成所述光阻层，所述光阻层的横截面呈凸字型；

初次图案化步骤，依次蚀刻所述栅极层、所述栅极绝缘层以及所述有源层，得到所述栅极层、所述栅极绝缘层以及所述有源层；