[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供一玻璃基板；

制作阻隔层，在所述玻璃基板上制作阻隔层并图案化处理；

制作缓冲层，在所述阻隔层上制作缓冲层；

制作有源层，在所述缓冲层上制作有源层；

制作栅极绝缘层，在所述有源层上制作栅极绝缘层；

制作栅极层，在所述栅极绝缘层上制作栅极层；

图案化步骤，在所述栅极层上制作光阻层，依次蚀刻所述栅极层、所述栅极绝缘层以及所述有源层，得到所述栅极层、所述栅极绝缘层以及所述有源层；修正光阻层并再次蚀刻去除所述栅极层、所述栅极绝缘层的边缘部分并裸露所述有源层的两端；

等离子体掺杂步骤，移除所述光阻层并对所述有源层的两端进行等离子体掺杂，以在所述有源层上形成掺杂区和沟道区；

制作层间绝缘层，在所述栅极层上制作层间绝缘层并图案化处理；

制作源漏极层，在所述层间绝缘层上制作源漏极层并图案化处理；

制作钝化层，在所述源漏极层上制作钝化层；以及

制作像素电极，在所述钝化层上制作像素电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述图案化步骤具体包括：

制作光阻层步骤，在所述栅极层上涂覆一层光阻材料，使用半色调掩膜板对其进行黄光照射方式曝光并显影，形成所述光阻层，所述光阻层的横截面呈凸字型；

初次图案化步骤，依次蚀刻所述栅极层、所述栅极绝缘层以及所述有源层，得到所述栅极层、所述栅极绝缘层以及所述有源层；

修正光阻层步骤，进行黄光照射方式曝光并显影蚀刻去除所述光阻层凸字型横截面的边缘部分，保留所述光阻层凸字型横截面的中间上凸部分；以及

再次图案化步骤，再次蚀刻去除所述栅极层、所述栅极绝缘层的边缘部分并裸露所述有源层的两端；经多次蚀刻处理后的所述缓冲层保留与所述有源层相应设置的部分。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述制作钝化层步骤之后以及在所述制作像素电极步骤之前，还包括：

制作平坦化层，在钝化层上制作平坦化层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阻隔层、所述栅极层或所述源漏极层的材料包括Mo、Al、Cu、Ti中的一种或其合金。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层或所述钝化层包括一层SiOx或一层SiNx或两者的堆栈结构。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有源层的材料包括IGZO、IZTO或IGZTO。

7.一种利用如权利要求1-6中任一项所述的制作方法制作的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括依次层叠设置的玻璃基板、阻隔层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层、钝化层和像素电极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述钝化层和所述像素电极之间。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

所述有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的掺杂区；

所述源漏极层包括与所述掺杂区相对设置的源极和漏极。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，

所述层间绝缘层上设有第一过孔、第二过孔和第三过孔，所述第一过孔的孔底为所述遮光层，所述第二过孔、所述第三过孔的孔底均为所述有源层的掺杂区；

所述源极的一端穿过所述第一过孔电连接所述阻隔层；

所述源极的另一端穿过所述第二过孔电连接所述有源层的掺杂区；

所述漏极穿过所述第三过孔电连接所述有源层的掺杂区。