[发明专利]多晶片封装

说明书

一种多晶片封装包含一或多个螺线圈电感器。外围集成电路封装内包含一或多个传输于各处的电互连，这些电互连可以排列以形成一个设置于多晶片封装内的第一螺线圈电感器。外围集成电路封装能够连接至示例的密封集成电路封装，以形成多晶片封装。密封集成电路封装包含形成于其中的第二螺线圈电感器。除此之外，外围集成电路封装还包含第三螺线圈电感器的第一部分，并且密封集成电路封装包含第三螺线圈电感器的第二部分。密封集成电路封装连接于外围集成电路封装，使第三螺线圈电感器的第一部分与第二部分连接起来，以形成第三螺线圈电感器。

技术领域

本揭露相关于一种多晶片封装，多晶片封装里具有多个螺线圈电感器。

背景技术

基本上，传统的外围集成电路封装，是至指机械性地与电性地连接一或多个系统单晶片(System on Chip,SoC)封装至其他电子装置、机械装置与/或机电装置。

传统上，传统的外围集成电路封装包含设置于一或多个系统单晶片封装与这些其他的电子装置、机械装置与/或机电装置之间的电性互连，而当这些电性互连从一或多个系统单晶片封装横穿至这些其他的电子装置、机械装置与/或机电装置，电性互连扩展。这种一或多个电性互连的扩展(也被称做为扇出)，允许更多的空间能够用于将传统的外围集成电路封装机械性地与电性地连接至这些其他的电子装置、机械装置与/或机电装置。此外，传统的外围集成电路是机械性地与电性地连接至传统的密封集成电路。传统的密封机体电路是一个半导体封装，此半导体封装内具有一或多个集成电路。传统的外围集成电路是机械性地与电性地连接传统的密封集成电路至一或多个外围集成电路的系统单晶片封装。

发明内容

本揭露的一实施方式为一种多晶片封装。这种多晶片封装包含密封集成电路封装与外围集成电路封装。密封集成电路封装包含设置于半导体基板上的多个第一导电层。这些第一导电层包含第一螺线圈电感器的第一部分以及第二螺线圈电感器的第二部分。半导体基板包含多个硅穿孔结构。这些硅穿孔结构用以电性连接第一螺线圈电感器的第一部分与第一螺线圈电感器的第二部分。外围集成电路封装包含多个系统单晶片封装、第一中介层、第二中介层以及多个模塑化合物区域。第一中介层位于系统单晶片封装上并具有多个第二导电层。第二螺线圈电感器的第二部分与第三螺线圈电感器的第一部分位于这些第二导电层内。第二中介层位于外围集成电路封装上，并具有多个第三导电层。第一螺线圈电感器的第二部分与第三螺线圈电感器的第二部分位于这些第三多个导电层内。在第一中介层与第二中介层之间具有多个模塑化合物区域。这些模塑化合物区域包含多个沟槽结构，以与第三螺线圈电感器的第一部分与第三螺线圈电感器的第二部分电性连接。在外围集成电路封装与第一中介层之间具有多个导电材料区域，这些导电材料区域嗽以电性连接第二螺线圈电感器的第一部分与第二螺线圈电感器的第二部分。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本揭露的一实施方式的各方面。在附图中，除非上下文另有说明，否则相同的附图标记表示相似的元件或步骤。附图中元件的尺寸和相对位置不一定按比例绘制。实际上，为了清楚讨论，可以任意增加或减少各种特征的元件。

图1根据本揭露的一示例的实施方式绘示一示例的多晶片封装的一横截面图；

图2根据本揭露的一示例的实施方式绘示可实现于示例的多晶片封装之内的一示例的系统单晶片封装的一横截面图；

图3根据本揭露的一示例的实施方式绘示可实现于示例的多晶片封装之内的一密封集成电路封装的一横截面图；

图4根据本揭露的一示例的实施方式绘示于在示例的多晶片封装的横截面图中，各种可被使用作为螺线圈电感器的导电材料的安排；

图5A绘示至图5C根据本揭露的一示例的实施方式绘示可实现于多晶片封装的示例的螺线圈电感器；

图6A与图6B根据本揭露的一示例的实施方式绘示各种螺线圈电感器的各种示例的运作方式；