[发明专利]用于制造磁存储器件的方法

说明书

一种用于制造磁存储器件的方法包括：在基板上形成磁隧道结图案；在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；执行蚀刻工艺以暴露磁隧道结图案的顶面，所述蚀刻工艺是在第一工艺腔室中执行的；并且执行沉积工艺以在磁隧道结图案的顶面上形成导电层，所述沉积工艺是在第二工艺腔室中执行的。第一工艺腔室和第二工艺腔室通过缓冲模块彼此连接。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月9日在韩国知识产权局递交的题为“磁存储器件”的韩国专利申请No.10-2018-0137036的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

实施例涉及半导体器件，更具体地，涉及包括磁隧道结的磁存储器件。

背景技术

由于需要高速和/或低功耗的电子设备，因此还需要在其中使用的高速和/或低电压的半导体存储器件。已经开发了磁存储器件作为能够满足这些需求的半导体存储器件。由于磁存储器件的高速和/或非易失性特性，磁存储器件可以作为下一代半导体存储器件而出现。

通常，磁存储器件可以包括磁隧道结(MTJ)。磁隧道结可以包括两个磁性层和布置在两个磁性层之间的绝缘层。磁隧道结的电阻值可以根据两个磁性层的磁化方向而变化。例如，当两个磁性层的磁化方向彼此反向平行时，磁隧道结可以具有相对高的电阻值。当两个磁性层的磁化方向彼此平行时，磁隧道结可以具有相对低的电阻值。磁存储器件可以使用磁隧道结的电阻值之间的差异来读/写数据。随着电子工业的发展，对高度集成和/或低功率的磁存储器件的需求日益增加。因此，正在进行各种研究以满足这些需求。

发明内容

在一个方面，一种磁存储器件可以包括：基板上的第一磁隧道结图案、第一磁隧道结图案上的第二磁隧道结图案以及第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案之间的导电线。导电线可以被配置为使得流过导电线的电流平行于导电线与第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案中的每一个之间的接合面流动。

在一个方面，一种磁存储器件可以包括：基板上的第一磁隧道结图案、第一磁隧道结图案上的第二磁隧道结图案以及第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案之间的导电线。导电线可以被配置为向第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案施加自旋轨道扭矩。

在一个方面，一种用于制造磁存储器件的方法可以包括：在基板上形成磁隧道结图案；在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；执行蚀刻工艺以暴露磁隧道结图案的顶面，蚀刻工艺是在第一工艺腔室中执行的；以及执行沉积工艺以在磁隧道结图案的顶面上形成导电层，沉积工艺是在第二工艺腔室中执行的。第一工艺腔室和第二工艺腔室可以通过缓冲模块彼此连接。

在一个方面，一种用于制造磁存储器件的方法可以包括：在基板上形成磁隧道结层；在磁隧道结层上形成掩模图案；通过使用掩模图案作为蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺以蚀刻磁隧道结层来形成磁隧道结图案；在基板上形成覆盖磁隧道结图案和掩模图案的绝缘层；通过执行第二蚀刻工艺去除掩模图案和绝缘层的上部；以及通过执行沉积工艺在磁隧道结图案上形成导电层。可以执行第二蚀刻工艺以暴露磁隧道结图案的顶面。导电层可以与磁隧道结图案的顶面接触。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得清楚，在附图中：

图1示出了根据一些实施例的磁存储器件的截面图。

图2示出了操作图1的磁存储器件的方法的构思图。

图3示出了根据一些实施例的修改示例的磁存储器件的截面图。

图4示出了根据一些实施例的磁存储器件的截面图。

图5示出了操作图4的磁存储器件的方法的构思图。

图6示出了根据一些实施例的修改示例的磁存储器件的截面图。