[发明专利]用于制造磁存储器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造磁存储器件的方法，包括：

在基板上形成磁隧道结图案；

在所述基板上形成覆盖所述磁隧道结图案的绝缘层；

执行蚀刻工艺以暴露所述磁隧道结图案的顶面，所述蚀刻工艺是在第一工艺腔室中执行的；以及

执行沉积工艺以在所述磁隧道结图案的所述顶面上形成导电层，所述沉积工艺是在第二工艺腔室中执行的；

其中，所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室通过缓冲模块彼此连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述磁隧道结图案包括自由磁性图案、所述自由磁性图案和所述基板之间的参考磁性图案、以及所述自由磁性图案和所述参考磁性图案之间的隧道势垒图案，以及

其中，执行所述蚀刻工艺以暴露所述自由磁性图案的顶面。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述沉积工艺以在所述自由磁性图案的所述顶面上形成所述导电层，并且所述导电层与所述自由磁性图案的所述顶面接触。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻工艺是使用离子束的离子束蚀刻工艺。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，通过所述蚀刻工艺使所述绝缘层的顶面与所述自由磁性图案的所述顶面共面。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述导电层从所述自由磁性图案的所述顶面延伸到所述绝缘层的所述顶面上。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述沉积工艺是使用至少一个靶的溅射沉积工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述蚀刻工艺之后，将所述基板从所述第一工艺腔室移动通过所述缓冲模块进入所述第二工艺腔室中，

其中，在所述基板的移动期间，所述缓冲模块处于真空状态。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在执行所述蚀刻工艺之前，将具有绝缘层的基板设置到装置中，

其中，所述蚀刻工艺是在所述装置的第一工艺腔室中执行的，所述沉积工艺是在所述装置的第二工艺腔室中执行的，并且所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室通过所述装置的缓冲模块彼此连接。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过图案化所述导电层来形成导电线，所述导电线沿与所述基板的上表面平行的方向延伸，以及

形成分别连接到所述导电线的不同部分的互连线。

11.一种用于制造磁存储器件的方法，包括：

在基板上形成磁隧道结层；

在所述磁隧道结层上形成掩模图案；

通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺以蚀刻所述磁隧道结层来形成磁隧道结图案；

在所述基板上形成覆盖所述磁隧道结图案和所述掩模图案的绝缘层；

通过执行第二蚀刻工艺来去除所述掩模图案和所述绝缘层的上部，以及

通过执行沉积工艺在所述磁隧道结图案上形成导电层，

其中，执行所述第二蚀刻工艺以暴露所述磁隧道结图案的顶面，以及

其中，所述导电层与所述磁隧道结图案的所述顶面接触。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述磁隧道结图案包括自由磁性图案、所述自由磁性图案和所述基板之间的参考磁性图案、以及所述自由磁性图案和所述参考磁性图案之间的隧道势垒图案，以及

其中，执行所述第二蚀刻工艺以暴露所述自由磁性图案的顶面。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述导电层与所述自由磁性图案的顶面接触。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，通过所述第二蚀刻工艺使所述绝缘层的顶面与所述自由磁性图案的所述顶面处于相同的高度。