[发明专利]柔性阵列基板及显示装置在审
| 申请号: | 201910731278.9 | 申请日: | 2019-08-08 |
| 公开(公告)号: | CN110544710A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
| 发明(设计)人: | 胡俊艳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘层 基板 源漏电极 走线 柔性阵列 阻层 阻体 基板及显示装置 应力缓冲层 光敏胶层 阶形通孔 形通孔 一阶 | ||
本发明公开一种柔性阵列基板及显示装置,所述柔性阵列基板可包括:一基板;一绝缘层,设置于所述基板上,所述绝缘层具有一阶形通孔;一有机光阻体,设置于所述基板上的所述绝缘层的所述阶形通孔内;一源漏电极走线,设置于所述有机光阻体上方;一有机光阻层,设置于所述源漏电极走线上方;一光敏胶层,设置于所述有机光阻层上方;及一应力缓冲层,对应设置于所述源漏电极走线上方。
技术领域
本发明是有关于一种柔性显示技术,特别是有关于一种可用于柔性显示器的柔性阵列基板及含有柔性阵列基板的显示装置。
背景技术
在窄边框(narrow border)的显示器中,通常会利用柔性阵列基板的可弯折性进行垫弯(pad bending)设计。
举例而言,如图1所示,现有的柔性阵列基板9可分为一有效区域(activearea)A及一衬垫区域(pad area)P,所述有效区域A可用于显示,所述衬垫区域P则为进行垫弯的部分。其中,所述衬垫区域P的结构具有一基板91、一有机光阻体92、一源漏电极走线93、一有机光阻层94及一光敏胶层95,所述源漏电极走线93在理想状态下处于受力中性面,即不受力或受力很小,例如:通过调整各层厚度或材料特性使得受力最小化。
但是,由于所述光敏胶层95、有机光阻层94及有机光阻体92的杨氏模量(Young’smodulus)都很小,与下方的基板91中的PI材料的杨氏模量(~10GPa)差距太大,很难通过厚度调整方式使所述源漏电极走线93处于中性面(如图1所示)。此外,以双层PI基板为例,由于所述基板91中的双层PI材料之间有一缓冲用的无机层,而所述无机层的杨氏模量(~100GPa)与所述源漏电极走线93上方的有机光阻层94(杨氏模量<5GPa)及光敏胶层95(杨氏模量~0.1GPa)相差太多,需将所述源漏电极走线93上方的膜层加厚才能平衡弯折时的应力,但因所述有机光阻层94与所述有效区域A的一有机光阻层97(被一薄膜封装层(TFE)98覆盖)相关,另所述有机光阻体92与所述有效区域A的一源漏电极96相关,导致上述加厚的空间受限,常用做法如增加所述光敏胶层95厚度,对所述源漏电极走线93的应力调节效果有限。而且,无论增加哪个膜层的厚度,在弯折后都会增加下边框(border)的宽度,不利于实现窄边框的显示器。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本发明提供一种柔性阵列基板及含有柔性阵列基板的显示装置,以解决现有技术所存在的垫弯处的应力不平衡的问题。
为了达成本发明的前述目的,本发明的一方面提供一种柔性阵列基板,可包括:一基板;一绝缘层,设置于所述基板上,所述绝缘层具有一阶形通孔;一有机光阻体,设置于所述基板上的所述绝缘层的所述阶形通孔内;一源漏电极走线,设置于所述有机光阻体上方;一有机光阻层,设置于所述源漏电极走线上方;一光敏胶层,设置于所述有机光阻层上方;及一应力缓冲层,对应设置于所述源漏电极走线上方。
在一些实施例中,所述应力缓冲层设置在所述有机光阻层内、在所述光敏胶层内或在所述有机光阻层与所述光敏胶层之间。
在一些实施例中,所述有机光阻层可包括一平坦层及一像素定义层,所述应力缓冲层可设置于所述平坦层与所述像素定义层之间。
在一些实施例中,所述应力缓冲层的厚度随着与所述源漏电极走线相距的距离而变化,所述应力缓冲层距离所述源漏电极走线越近,所述应力缓冲层的厚度越厚。
在一些实施例中,所述应力缓冲层可由一无机膜层、一金属膜层及一有机膜层中的至少一种组成。
在一些实施例中,所述应力缓冲层为一面状构造或一图案化构造。
在一些实施例中,所述绝缘层与所述有机光阻体设置在所述基板的同一表面,所述有机光阻体的外径由所述有机光阻体接近所述基板的一端朝向所述有机光阻体远离所述基板的另一端渐增。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





