[发明专利]LED驱动电源的集成电路、制造方法及LED驱动电源

说明书

本发明涉及一种LED驱动电源的集成电路、制造方法及LED驱动电源，LED驱动电源的集成电路将控制芯片、功率MOSFET芯片和二极管芯片集成在同一个引线框架上；控制芯片通过绝缘胶焊接在第一芯片承载区，功率MOSFET芯片的漏极通过导电胶焊接在第二芯片承载区，二极管芯片的正极通过导电胶焊接在第三芯片承载区，第二芯片承载区和第三芯片承载区之间通过键合丝连接，使二极管芯片的正极与功率MOSFET芯片的漏极连接，二极管芯片的负极通过键合丝与控制芯片连接；第二芯片承载区与引线框架的两个漏极引脚连接，且引线框架的两个漏极引脚之间用导电散热片连接。提高了LED驱动电源的集成电路集成度，达到良好的散热效果。

技术领域

本发明涉及电源领域，特别是涉及一种LED驱动电源的集成电路、制造方法及LED驱动电源。

背景技术

随着LED(Light Emitting Diode，发光二极管)市场竞争加剧，终端客户需求趋向多样化，设计者需要设计出性能更优，成本更低的LED驱动电源。为了提高产品市场竟争力，同时满足终端客户产品质量可靠性及降低成本的需求，对LED驱动电源的IC(integratedcircuit，集成电路，是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。)集成度要求越来越高。

目前市场上应用在LED驱动电源(如图1所示)的集成电路IC1的内部只有集成控制器和高压功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)，没有集成续流二极管D1，而应用上都需要外部接上续流二极管D1才能正常工作，且因LED驱动电源的集成电路IC1的内部器件多，产热大，容易导致器件损坏。

发明内容

基于此，有必要针对现有的LED驱动电源的集成电路IC1的内部只有集成控制器和高压功率MOSFET，没有集成续流二极管D1，而应用上都需要外部接上续流二极管D1才能正常工作，且因LED驱动电源的集成电路IC1的内部器件多，产热大，容易导致器件损坏的问题，提供一种LED驱动电源的集成电路、制造方法及LED驱动电源。

一种LED驱动电源的集成电路，所述LED驱动电源的集成电路将控制芯片、功率MOSFET芯片和二极管芯片集成在同一个引线框架上；其中，所述控制芯片通过绝缘胶焊接在第一芯片承载区，所述功率MOSFET芯片的漏极通过导电胶焊接在第二芯片承载区，所述二极管芯片的正极通过导电胶焊接在第三芯片承载区，所述第一芯片承载区、第二芯片承载区和第三芯片承载区为导电片；所述第二芯片承载区和第三芯片承载区之间通过键合丝连接，使得所述二极管芯片的正极与所述功率MOSFET芯片的漏极连接，所述二极管芯片的负极通过所述键合丝与所述控制芯片连接；所述第二芯片承载区与所述引线框架的两个漏极引脚连接，且所述引线框架的两个漏极引脚之间用导电散热片连接。

在其中一个实施例中，所述导电散热片为铜带。

在其中一个实施例中，所述第二芯片承载区和第三芯片承载区之间通过两条所述键合丝连接。

在其中一个实施例中，所述二极管芯片的负极通过两条所述键合丝与所述引线框架的HV引脚连接，所述控制芯片的HV引脚通过一条所述键合丝与所述引线框架的HV引脚连接。

在其中一个实施例中，所述功率MOSFET芯片的漏极通过两条所述键合丝与所述第一芯片承载区连接，所述控制芯片的CS引脚通过一条所述键合丝与所述第一芯片承载区连接，所述第一芯片承载区与所述引线框架的CS引脚连接。