[发明专利]LED驱动电源的集成电路、制造方法及LED驱动电源有效
申请号: | 201910729779.3 | 申请日: | 2019-08-08 |
公开(公告)号: | CN110571210B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 全新;廖志强;冯润渊 | 申请(专利权)人: | 深圳市晶导电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/367;H01L23/495;H01L25/00;H05B33/08 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 傅康 |
地址: | 518101 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 驱动 电源 集成电路 制造 方法 | ||
1.一种LED驱动电源的集成电路,其特征在于,所述LED驱动电源的集成电路将控制芯片、功率MOSFET芯片和二极管芯片集成在同一个引线框架上;其中,所述控制芯片通过绝缘胶焊接在第一芯片承载区,所述功率MOSFET芯片的漏极通过导电胶焊接在第二芯片承载区,所述二极管芯片的正极通过导电胶焊接在第三芯片承载区,所述第一芯片承载区、第二芯片承载区和第三芯片承载区为导电片;所述第二芯片承载区和第三芯片承载区之间通过键合丝连接,使得所述二极管芯片的正极与所述功率MOSFET芯片的漏极连接,所述二极管芯片的负极通过所述键合丝与所述控制芯片连接;所述第二芯片承载区与所述引线框架的两个漏极引脚连接,且所述引线框架的两个漏极引脚之间用导电散热片连接;
其中,完成封装后的导电散热片漏出0.3±0.05mm在外面,所述导电散热片为铜带。
2.根据权利要求1所述的LED驱动电源的集成电路,其特征在于,所述第二芯片承载区和第三芯片承载区之间通过两条所述键合丝连接。
3.根据权利要求2所述的LED驱动电源的集成电路,其特征在于,所述二极管芯片的负极通过两条所述键合丝与所述引线框架的HV引脚连接,所述控制芯片的HV引脚通过一条所述键合丝与所述引线框架的HV引脚连接。
4.根据权利要求3所述的LED驱动电源的集成电路,其特征在于,所述功率MOSFET芯片的源极通过两条所述键合丝与所述第一芯片承载区连接,所述控制芯片的CS引脚通过一条所述键合丝与所述第一芯片承载区连接,所述第一芯片承载区与所述引线框架的CS引脚连接。
5.根据权利要求4所述的LED驱动电源的集成电路,其特征在于,所述功率MOSFET芯片的栅极通过一条所述键合丝与所述控制芯片的GATE引脚连接;所述控制芯片的GND引脚与所述引线框架的GND引脚连接,所述控制芯片的ROVP引脚与所述引线框架的ROVP引脚连接。
6.根据权利要求1所述的LED驱动电源的集成电路,其特征在于,所述二极管芯片为P型衬底二极管芯片,所述二极管芯片的正极为所述衬底,所述二极管芯片的负极为N型掺杂区。
7.根据权利要求6所述的LED驱动电源的集成电路,其特征在于,所述P型衬底二极管芯片的击穿电压VZ≥650V,所述P型衬底二极管芯片的反向恢复时间Trr≤35ns。
8.一种基于权利要求1-7中任一LED驱动电源的集成电路的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
将所述控制芯片通过绝缘胶焊接在所述第一芯片承载区,将所述功率MOSFET芯片的漏极通过导电胶焊接在所述第二芯片承载区,将所述二极管芯片的正极通过导电胶焊接在所述第三芯片承载区;其中,所述第一芯片承载区、第二芯片承载区和第三芯片承载区为导电片;
将所述第二芯片承载区和第三芯片承载区之间通过键合丝连接,使得所述二极管芯片的正极与所述功率MOSFET芯片的漏极连接;
将所述二极管芯片的负极通过所述键合丝与所述控制芯片连接;
将所述第二芯片承载区与所述引线框架的两个漏极引脚连接;
将所述引线框架的两个漏极引脚之间用导电散热片连接;
烘烤经上述步骤获得的所述LED驱动电源的集成电路;
采用塑封料密封所述控制芯片、功率MOSFET芯片、二极管芯片和键合丝;
电镀经上述步骤获得的所述LED驱动电源的集成电路;
切筋经上述步骤获得的所述LED驱动电源的集成电路;
测试经上述步骤获得的所述LED驱动电源的集成电路成品。
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