[发明专利]存储器控制器、存储器控制器的操作方法和存储器系统在审

专利信息
申请号: 201910724921.5 申请日: 2019-08-06
公开(公告)号: CN110827912A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 金玟昱;全甫晥;孙弘乐;申东旻;李起准 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G06F11/10;G06F3/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 杨姗
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 控制器 操作方法 系统
【权利要求书】:

1.一种单独控制多个存储器单元的存储器控制器的操作方法,所述方法包括:

由所述存储器控制器基于多个控制信号从所述多个存储器单元读取各个分段;

由所述存储器控制器基于所述分段产生输出码字;

由所述存储器控制器对所述输出码字执行纠错解码;

当所述纠错解码的结果指示成功时,由所述存储器控制器基于所述纠错解码的结果更新分别与所述多个存储器单元相对应的多个累积错误模式信息中的至少一个累积错误模式信息;以及

当所述纠错解码的结果指示失败时,由所述存储器控制器基于所述多个累积错误模式信息中的至少一个累积错误模式信息来调节所述多个控制信号中的至少一个控制信号。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,更新所述多个累积错误模式信息中的至少一个累积错误模式信息包括:

将所述输出码字与根据所述纠错解码而产生的解码码字进行比较,以检测与所述多个存储器单元中的第一存储器单元相对应的错误比特;以及

基于检测到的错误比特,更新所述多个累积错误模式信息中与所述第一存储器单元相对应的第一累积错误模式信息。

3.根据权利要求2所述的方法,还包括:当更新后的第一累积错误模式信息的更新后的第一累积错误比特计数不小于第一阈值且小于第二阈值时,由所述存储器控制器调节所述多个控制信号中与所述第一存储器单元相对应的控制信号。

4.根据权利要求3所述的方法,还包括:

当更新后的第一累积错误比特计数不小于所述第二阈值时,由所述存储器控制器刷新所述第一存储器单元中存储的数据;以及

初始化所述更新后的第一累积错误模式信息。

5.根据权利要求3所述的方法,其中,当所述纠错解码的结果指示失败并且所述多个累积错误模式信息中与所述多个存储器单元中的第二存储器单元相对应的第二累积错误模式信息的第二累积错误比特计数小于所述第一阈值时,由所述存储器控制器调节所述多个控制信号中与所述第二存储器单元相对应的第二控制信号。

6.根据权利要求5所述的方法,还包括:

由所述存储器控制器基于与所述第二存储器单元相对应的调节后的第二控制信号,从所述第二存储器单元重新读取所述分段之一;

基于重新读取的分段产生新的输出码字;以及

对所述新的输出码字执行所述纠错解码。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个存储器单元中的每一个存储器单元包括以下至少一项:存储器器件、存储器芯片、存储器管芯、存储器组、存储器块和连接到一条字线的存储单元。

8.根据权利要求1所述的方法,还包括:

由所述存储器控制器对从主机提供的数据执行纠错编码,以产生添加了纠错码的输入码字;

由所述存储器控制器划分所述输入码字以产生所述分段;以及

由所述存储器控制器基于所述多个控制信号将所述分段存储在所述多个存储器单元中。

9.一种存储器控制器,包括:

码字电路,被配置为基于根据第一控制信号从第一存储器单元读取的第一分段和根据第二控制信号从第二存储器单元读取的第二分段产生输出码字;

纠错码ECC电路,被配置为对所述输出码字执行纠错解码;以及

控制电路,被配置为根据所述纠错解码的结果进行操作,

其中,所述控制电路被配置为基于与所述第一存储器单元相对应的第一累积错误模式信息和与所述第二存储器单元相对应的第二累积错误模式信息中的至少一个来调节所述第一控制信号和所述第二控制信号中的至少一个。

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