[发明专利]可变电阻存储器件

说明书

一种可变电阻存储器件包括衬底。第一导电线设置在衬底上并主要沿第一方向延伸。第二导电线设置在衬底上并主要沿第二方向延伸。第二方向交叉第一方向。相变图案设置在第一导电线和第二导电线之间。底部电极设置在相变图案和第一导电线之间。底部电极包括将第一导电线和相变图案彼此连接的第一侧壁区段。相变图案在第一方向上具有朝向衬底减小的宽度。第一侧壁区段具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面。相变图案的最下部设置在第一侧表面和第二侧表面之间。

技术领域

本公开涉及存储器件，更具体地，涉及可变电阻存储器件和制造其的方法。

背景技术

半导体器件的示例包括半导体存储器件和半导体逻辑器件。存储器件存储数据。通常，半导体存储器件可被描述为易失性存储器件或非易失性存储器件。诸如DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)的易失性存储器件在其电源中断时丢失所存储的数据。诸如PROM(可编程ROM)、EPROM(可擦除PROM)、EEPROM(电EPROM)和闪速存储器件的非易失性存储器件即使在没有电源的情况下也不丢失所存储的数据。

正在开发例如铁电随机存取存储器(FRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)和相变随机存取存储器(PRAM)的下一代半导体存储器件，以提供高性能和低功耗。这些下一代半导体存储器件中的许多包括这样的材料，其具有根据所施加的电流或电压而改变的电阻。随着此电阻在诸如这些的存储器件的电流或电压供应中断时被保持，诸如这些的存储器件可被认为是非易失性的。

发明内容

一种可变电阻存储器件包括衬底。第一导电线设置在衬底上并主要沿第一方向延伸。第二导电线设置在衬底上并主要沿第二方向延伸。第二方向交叉第一方向。相变图案设置在第一导电线和第二导电线之间。底部电极设置在相变图案和第一导电线之间。底部电极包括将第一导电线和相变图案彼此连接的第一侧壁区段。相变图案在第一方向上具有朝向衬底减小的宽度。第一侧壁区段具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面。相变图案的最下部设置在第一侧表面和第二侧表面之间。

一种可变电阻存储器件包括：衬底；字线，设置在衬底上并主要沿第一方向延伸；位线，设置在衬底上并主要沿第二方向延伸，第二方向交叉第一方向；相变图案，设置在字线和位线之间；以及底部电极，设置在相变图案和字线之间。底部电极包括将字线和相变图案彼此连接的第一侧壁区段。相变图案包括第一区段和第二区段，第一区段在第一方向上具有恒定的宽度，第二区段在第一方向上的宽度朝向衬底减小。第二区段与第一侧壁区段的顶表面接触。

一种可变电阻存储器件包括衬底。字线设置在衬底上并主要沿第一方向延伸。位线设置在衬底上并主要沿第二方向延伸。第二方向交叉第一方向。多个相变图案设置在字线和位线之间。多个底部电极设置在所述多个相变图案和字线之间。所述多个相变图案的每个具有弯曲的底表面和平直的侧表面。所述多个底部电极的每个包括将字线和相变图案彼此连接的多个第一侧壁区段和将所述多个第一侧壁区段彼此连接的第一连接区段。所述多个第一侧壁区段的每个具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面。所述多个相变图案的每个的底表面的最下部设置在第一侧表面和第二侧表面之间。

附图说明

随着本公开及其许多伴随的方面在结合附图考虑时通过参照以下详细描述变得更好理解，将容易地获得对本公开及其许多伴随的方面的更完整的理解，其中：

图1A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的可变电阻存储器件的俯视图；

图1B是沿图1A的线A-A'截取的剖视图；

图1C是显示图1B的部分A的放大视图；

图1D是沿图1A的线B-B'截取的剖视图；

图2A、3A、4A、5A和6A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的制造可变电阻存储器件的方法的俯视图；