[发明专利]可变电阻存储器件在审

专利信息
申请号: 201910722355.4 申请日: 2019-08-06
公开(公告)号: CN110858621A 公开(公告)日: 2020-03-03
发明(设计)人: 朴日穆;白光铉;宋苏智 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 可变 电阻 存储 器件
【权利要求书】:

1.一种可变电阻存储器件,包括:

衬底;

第一导电线,设置在所述衬底上并且沿第一方向延伸;

第二导电线,设置在所述衬底上并且沿第二方向延伸,所述第二方向交叉所述第一方向;

相变图案,设置在所述第一导电线和所述第二导电线之间;以及

底部电极,设置在所述相变图案和所述第一导电线之间,

其中所述底部电极包括将所述第一导电线和所述相变图案彼此连接的第一侧壁区段,

其中所述相变图案在所述第一方向上具有朝向所述衬底减小的宽度,

其中所述第一侧壁区段具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面,以及

其中所述相变图案的最下部设置在所述第一侧表面和所述第二侧表面之间。

2.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件,其中所述相变图案的底表面是弯曲的。

3.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件,其中所述第一侧壁区段包括成对的第一侧壁区段,以及

其中所述底部电极还包括将所述成对的第一侧壁区段彼此连接的第一连接区段。

4.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件,

其中所述第一侧表面的最上部位于比所述相变图案的所述最下部的水平高的水平处,以及

其中所述第二侧表面的最上部位于比所述相变图案的所述最下部的水平高的水平处。

5.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件,还包括设置在所述底部电极上的间隔物,

其中所述间隔物包括成对的第二侧壁区段和将所述成对的第二侧壁区段彼此连接的第二连接区段。

6.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件,

其中所述相变图案在所述第一方向上的最大宽度大于所述第一侧壁区段在所述第一方向上的宽度,以及

其中所述相变图案的下部在所述第一方向上的宽度小于所述第一侧壁区段在所述第一方向上的宽度。

7.根据权利要求5所述的可变电阻存储器件,

其中所述第二侧壁区段的顶表面位于比所述相变图案的所述最下部的水平高的水平处。

8.一种可变电阻存储器件,包括:

衬底;

字线,设置在所述衬底上并且沿第一方向延伸;

位线,设置在所述衬底上并且沿第二方向延伸,所述第二方向交叉所述第一方向;

相变图案,设置在所述字线和所述位线之间;以及

底部电极,设置在所述相变图案和所述字线之间,

其中所述底部电极包括将所述字线和所述相变图案彼此连接的第一侧壁区段,

其中所述相变图案包括第一区段和第二区段,所述第一区段在所述第一方向上具有恒定的宽度,所述第二区段在所述第一方向上的宽度朝向所述衬底减小,以及

其中所述第二区段与所述第一侧壁区段的顶表面接触。

9.根据权利要求8所述的可变电阻存储器件,

其中所述第一侧壁区段具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面,

其中所述第二区段的最下部设置在所述第一侧表面和所述第二侧表面之间,

其中所述第一侧表面的最上部位于比所述第二区段的所述最下部的水平高的水平处,以及

其中所述第二侧表面的最上部位于比所述第二区段的所述最下部的水平高的水平处。

10.根据权利要求8所述的可变电阻存储器件,还包括将所述相变图案和所述位线彼此电连接的开关元件,

其中所述开关元件在所述第一方向上的宽度朝向所述衬底增大。

11.根据权利要求10所述的可变电阻存储器件,还包括在所述开关元件上的顶部电极,

其中所述顶部电极在所述第一方向上的宽度朝向所述衬底增大。

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