[发明专利]一种含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法有效
申请号: | 201910721653.1 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN110282993B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 刘汝强;杨川;李宗乐 | 申请(专利权)人: | 山东道普安制动材料有限公司 |
主分类号: | C04B35/80 | 分类号: | C04B35/80;C04B35/584;C04B35/622;C04B35/628;C04B35/565;C04B35/563;C04B41/87 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 韩献龙 |
地址: | 251200 山东省德州市禹*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 界面 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
本发明提供一种含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法。本发明首先制备涂层浆料,采用真空浸渍法制备涂层/增强体复合物;然后制备陶瓷粉体浆料,将涂层/增强体复合物于陶瓷粉体浆料中真空压力浸渍,经固化、高温烧结制备陶瓷基复合材料;然后经空气中热处理,于界面前驱体浆料中真空压力浸渍,最后经烧结制备得到含界面相的陶瓷基复合材料。本发明制备方法简单,反应条件易于实现,成本较低;本发明方法避免了界面材料以及增强体的破坏,防止增强体与基体陶瓷材料在高温下发生反应生成强界面,大幅提高了陶瓷基复合材料的韧性等力学性能。
技术领域
本发明涉及一种含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法,属于陶瓷基复合材料界面制备技术领域。
背景技术
陶瓷材料具有高强度、高硬度、抗氧化等一系列优点,但由于原子间结合键和原子空间排列结构,造成其具有脆性大、抗热震性差,对裂纹、气孔和夹杂物等细微裂纹敏感等缺点,限制了其在航空、航天、汽车等领域的应用;而陶瓷基复合材料克服了纯陶瓷的缺点,继承其优点,被广泛应用于航空、航天等领域。目前陶瓷基复合材料增韧方式的研究重点主要集中于纤维增韧、晶须增韧、颗粒增韧等方式。对于陶瓷复合材料而言,增强体与基体的界面是控制其力学性能的关键。
现有技术中已有采用化学气相渗透法、浸渍法等制备界面相或含有界面相的陶瓷基复合材料。采用化学气相渗透法制备界面过程中,若预制体内部为多级孔隙,则有利于反应气体的扩散,可在预制体内部形成均匀的界面涂层,但当预制体内部为单级孔隙且内部孔隙尺寸较小时,则不利于反应气体的扩散,造成预制体内部形成的界面厚度不均匀;并且会存在沉积物堵塞孔隙、从而使反应气体难以进入其它孔隙的弊端。例如中国专利文献CN104926346A公开了一种含界面相的氧化铝纤维织物增强碳化硅陶瓷,其是以氧化铝纤维织物作为增强体,以碳化硅陶瓷作为基体,且增强体和基体之间形成有牺牲碳界面相;制备工艺如下:先将氧化铝纤维织物置于马弗炉中进行高温氧化,利用化学气相沉积工艺在纤维织物表面沉积裂解碳涂层;配制先驱体溶液,以其真空浸渍纤维织物,经低温交联和高温陶瓷化后完成一次致密化及多次反复的致密化,最后通过高温热处理牺牲裂解碳界面相,制得最终产品。该发明所得产物具有较好的力学性能,但使用到化学气相渗透工艺及丙烯作为碳源,存在成本较高、反应条件苛刻、对设备要求高等缺陷,并且同样存在上述化学气相渗透法所带来的界面厚度不均匀、孔隙堵塞的弊端。中国专利文献CN108947587A公开了一种氮化硼界面的制备方法,步骤如下:将预制体真空浸渍硼酸乙醇溶液,经高温脱水、氮化处理、高温热处理得到氮化硼界面。该发明制备方法能够得到厚度均匀、连续并且质量稳定的氮化硼界面,但在高温脱水、氮化处理过程中,所得氮化硼界面存在微孔,在后续致密化过程中,微孔中易引入基体相,不利于制备弱界面。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明提供一种含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法。本发明制备方法简单,反应条件易于实现,成本较低;本发明方法避免了界面材料以及增强体的破坏,防止了增强体与基体陶瓷材料在高温下发生反应生成强界面,大幅提高了陶瓷基复合材料的韧性等力学性能。
术语说明:
室温:指25℃±5℃。
本发明的技术方案如下:
一种含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法,包括步骤:
(1)将涂层原料和溶剂a混合分散均匀,得涂层浆料;将增强体于涂层浆料中进行真空浸渍,然后经烘干或烘干固化得到涂层/增强体复合物;所述涂层原料为聚乙烯醇、石墨或树脂中的一种或两种以上的组合;
(2)将陶瓷粉体、烧结助剂和溶剂b经球磨混合均匀后得到陶瓷粉体浆料;
(3)将涂层/增强体复合物于陶瓷粉体浆料中真空压力浸渍,然后进行固化、高温烧结;此步骤重复3-4次,制得陶瓷基复合材料;
(4)将陶瓷基复合材料于空气中进行热处理,然后于界面前驱体浆料中真空压力浸渍,最后经烧结,制备得到含界面相的陶瓷基复合材料。
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