[发明专利]一种含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法有效
申请号: | 201910721653.1 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN110282993B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 刘汝强;杨川;李宗乐 | 申请(专利权)人: | 山东道普安制动材料有限公司 |
主分类号: | C04B35/80 | 分类号: | C04B35/80;C04B35/584;C04B35/622;C04B35/628;C04B35/565;C04B35/563;C04B41/87 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 韩献龙 |
地址: | 251200 山东省德州市禹*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 界面 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法,包括步骤:
(1)将涂层原料和溶剂a混合分散均匀,得涂层浆料;将增强体于涂层浆料中进行真空浸渍,然后经烘干或烘干固化得到涂层/增强体复合物;所述涂层原料为聚乙烯醇、石墨或树脂中的一种或两种以上的组合;所述树脂为酚醛树脂;
(2)将陶瓷粉体、烧结助剂和溶剂b经球磨混合均匀后得到陶瓷粉体浆料;
(3)将涂层/增强体复合物于陶瓷粉体浆料中真空压力浸渍,然后进行固化、高温烧结;此步骤重复3-4次,制得陶瓷基复合材料;所述高温烧结是在真空中进行,高温烧结温度为1600-2000℃;
(4)将陶瓷基复合材料于空气中进行热处理,然后于界面前驱体浆料中真空压力浸渍,最后经烧结,制备得到含界面相的陶瓷基复合材料;所述热处理温度为400-600℃;所述烧结是在真空中进行,烧结温度800-1800℃。
2.根据权利要求1所述含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,包括以下条件中的一项或多项:
a、所述溶剂a为蒸馏水或无水乙醇;
b、所述聚乙烯醇为聚乙烯醇1788;所述石墨为鳞片石墨,D50=5-15nm;
c、所述增强体为氮化硅纤维或氧化锆纤维;所述增强体与涂层浆料的质量比为1:2-4;
d、所述真空浸渍的真空度为30-80pa,浸渍温度为室温,浸渍时间40-50min;所述烘干温度为50-70℃,烘干时间为8-12h;所述烘干固化中,烘干温度为50-70℃,烘干时间为8-12h,固化温度为180-220℃,固化时间为0.5-2h。
3.根据权利要求1所述含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述涂层浆料的重量份组成如下:涂层原料20-70份,溶剂a 25-80份。
4.根据权利要求1所述含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)涂层浆料中还可加入分散剂,所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮,重量份为3-6份。
5.根据权利要求3所述含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,所述涂层浆料的重量份组成选自以下任意一种:
A.聚乙烯醇30-45份、蒸馏水55-70份;
B.酚醛树脂20-40份、无水乙醇60-80份;
C.聚乙烯醇5-20份、石墨30-50份、蒸馏水25-50份、聚乙烯吡咯烷酮3-6份。
6.根据权利要求1所述含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述陶瓷粉体为碳化硅、氮化硅或碳化硼中的一种或两种以上的组合;所述烧结助剂为氧化铝或氧化钇;所述溶剂b为异丙醇和甲苯的组合。
7.根据权利要求6所述含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,所述碳化硅纯度80-99%,粒径D50=0.2-0.8um;氮化硅为β-Si3N4,纯度80-99.99%,粒径D50=0.2-0.8um;碳化硼纯度80-99%,粒径D50=0.2-1um;氧化铝纯度80-99%,粒径D50=0.05-0.5um;氧化钇纯度80-99%,粒径D50=0.05-0.5um。
8.根据权利要求7所述含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,所述碳化硅纯度99%,粒径D50=0.5um;氮化硅为β-Si3N4,纯度99.99%,粒径D50=0.5um;碳化硼纯度99%,粒径D50=0.6um;氧化铝纯度99%,粒径D50=0.1um;氧化钇纯度99%,粒径D50=0.1um。
9.根据权利要求1所述含界面相的陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述陶瓷粉体浆料的重量份组成如下:陶瓷粉体40-70份、烧结助剂1-4份、溶剂b 20-60份。
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