[发明专利]一种保护电路和集成电路芯片

说明书

本发明涉及一种保护电路和集成电路芯片，所述电路包括：一级保护电路和二级保护电路，一级保护电路的输入端用于与集成电路的输入端连接，一级保护电路的泄放端用于分别连接集成电路的工作电压端和公共接地电压端，用于将经集成电路的输入端接收到的静电，通过工作电压端或公共接地电压端进行泄放；二级保护电路的输入端用于与连接集成电路中目标区域的衬底，二级保护电路的泄放端用于连接集成电路的输出端，用于将目标区域的静电通过集成电路的输出端进行泄放。本发明通过该保护电路，不仅能够为集成电路外部环境接触的静电提供一个泄放通道，也能够为集成电路内部积累的静电提供一个低阻泄放通道，实现多重保护，大大提高了抗静电能力。

技术领域

本发明涉及防静电领域，尤其涉及一种保护电路和集成电路芯片。

背景技术

目前，集成电路从生产、封装、测试、运输到应用，所有环节都会存在着ESD(Electro-Static discharge，静电释放)风险，每一个环节都可能造成集成电路中的元件的静电损伤，尤其是静电敏感元件场效应管更容易受到静电损伤，因此集成电路中都会集成ESD保护电路。

然而，现有技术中，ESD保护电路一般只能抵抗集成电路外部的静电或者只能抵抗内部静电，抗静电能力差。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本发明提供了一种保护电路和集成电路芯片。

第一方面，本发明提供了一种保护电路，包括：一级保护电路和二级保护电路，

所述一级保护电路的输入端用于与集成电路的输入端连接，所述一级保护电路的泄放端用于分别连接所述集成电路的工作电压端和公共接地电压端，用于将经所述集成电路的输入端接收到的静电，通过所述工作电压端或公共接地电压端进行泄放；

所述二级保护电路的输入端用于与连接所述集成电路中目标区域的衬底，所述二级保护电路的泄放端用于连接所述集成电路的输出端，用于将所述目标区域的静电通过所述集成电路的输出端进行泄放。

可选地，所述集成电路的输入端和集成电路的输出端为集成电路封装的同一输入/输出端。

可选地，所述二级保护电路包括静电二极管，所述静电二极管的阳极连接所述集成电路的衬底，所述静电二极管的阴极连接所述集成电路的输出端。

可选地，所述一级保护电路包括：第一N型场效应管和第一常开MOS管；其中，

所述第一常开MOS管的栅极接电源，第一常开MOS管的漏极连接所述第一N型场效应管的栅极；

所述第一N型场效应管的漏极连接所述集成电路的输入端，第一N型场效应管的源极连接所述公共接地电压端；

和/或第一P型场效应管和第二常开MOS管；其中，

所述第二常开MOS管的栅极接地，第二常开MOS管的漏极连接第一P型场效应管的栅极；

所述第一P型场效应管的漏极连接所述集成电路的输入端，第一P型场效应管的源极连接所述工作电压端。

可选地，所述集成电路的目标区域与所述集成电路的输出端之间串联一个限流元件。

可选地，在集成电路的工作电压端和公共接地电压端之间还设有电源保护电路，所述电源保护电路用于泄放所述工作电压端和公共接地电压端之间产生的静电电流。

可选地，所述电源保护电路包括第三N型场效应管，所述第三N型场效应管的栅极和源极连接公共接地电压端，所述第三N型场效应管的漏极连接工作电压端。

可选地，所述第三N型场效应管的栅极与公共接地电压端之间还串联一个电阻。