[发明专利]一种保护电路和集成电路芯片

权利要求书

1.一种保护电路，其特征在于，包括：一级保护电路和二级保护电路，

所述一级保护电路的输入端用于与集成电路的输入端连接，所述一级保护电路的泄放端用于分别连接所述集成电路的工作电压端和公共接地电压端，用于将经所述集成电路的输入端接收到的静电，通过所述工作电压端或公共接地电压端进行泄放；

所述二级保护电路的输入端用于与连接所述集成电路中目标区域的衬底，所述二级保护电路的泄放端用于连接所述集成电路的输出端，用于将所述目标区域的静电通过所述集成电路的输出端进行泄放。

2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述集成电路的输入端和集成电路的输出端为集成电路封装的同一输入/输出端。

3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述二级保护电路包括静电二极管，所述静电二极管的阳极连接所述集成电路的衬底，所述静电二极管的阴极连接所述集成电路的输出端。

4.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述一级保护电路包括：第一N型场效应管和第一常开MOS管；其中，

所述第一常开MOS管的栅极接电源，第一常开MOS管的漏极连接所述第一N型场效应管的栅极；

所述第一N型场效应管的漏极连接所述集成电路的输入端，第一N型场效应管的源极连接所述公共接地电压端；

和/或第一P型场效应管和第二常开MOS管；其中，

所述第二常开MOS管的栅极接地，第二常开MOS管的漏极连接第一P型场效应管的栅极；

所述第一P型场效应管的漏极连接所述集成电路的输入端，第一P型场效应管的源极连接所述工作电压端。

5.根据权利要求1-4任一所述的保护电路，其特征在于，所述集成电路的目标区域与所述集成电路的输出端之间串联一个限流元件。

6.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，在集成电路的工作电压端和公共接地电压端之间还设有电源保护电路，所述电源保护电路用于泄放所述工作电压端和公共接地电压端之间产生的静电电流。

7.根据权利要求6所述的保护电路，其特征在于，所述电源保护电路包括第三N型场效应管，所述第三N型场效应管的栅极和源极连接公共接地电压端，所述第三N型场效应管的漏极连接工作电压端。

8.根据权利要求7所述的保护电路，其特征在于，所述第三N型场效应管的栅极与公共接地电压端之间还串联一个电阻。

9.一种集成电路芯片，其特征在于，包括权利要求1-6任一所述的保护电路、集成电路目标区域、输入端、输出端、工作电压端和公共接地电压端，

所述集成电路目标区的衬底与所述保护电路的二级保护电路的输入端连接，所述二级保护电路的泄放端与所述输出端连接；

所述集成电路的输入端连接所述保护电路的一级保护电路的输入端，所述一级保护电路的泄放端连接所述工作电压端和公共接地电压端。

10.根据权利要求9所述的一种集成电路芯片，其特征在于，包括权利要求6-8所述的电源保护电路。