[发明专利]一种外延生长基座

说明书

本发明提供一种外延生长基座，其特征在于，包括：底座，所述底座的外缘周向间隔设有多个贯穿所述底座的气体通道；环形承载台，用于承载晶圆，所述环形承载台围设于所述底座外，所述环形承载台的上表面的高度高于所述底座的上表面的高度。根据本发明实施例的外延生长基座，通过将环形承载台围设于底座外形成承载晶圆的凹坑，并在底座的外缘周向开设贯穿底座的气体通道，可以起到排除外延生长源气体和还原气体的作用，避免了在外延沉积期间晶圆背部形成不均匀的硅膜以及由于刻蚀气体的进入造成晶圆背面损伤扩大的问题，提高了外延晶圆的良品率。

技术领域

本发明涉及半导体生产加工技术领域,具体涉及一种外延生长基座。

背景技术

外延晶圆一般是通过化学气相沉积的方式在硅晶圆上生长一层外延薄膜得到。在外延生长装置内，将硅晶圆暴露于反应气体中，通过化学气相反应，在硅晶圆表面沉积一层硅单晶薄膜。

在外延沉积的烘焙过程中，H₂等清洁气体会通过基座和晶圆的边缘进入两者之间的间隙处，会导致自然氧化层的不完全去除并且形成针孔状漏出硅的区域。在后续的外延生长过程中，含硅源气再次通过基座和晶圆的边缘进入缝隙，会在针孔中沉积硅由此在外延沉积期间在晶圆背部形成不均匀的硅膜。

此外，在外延生长过程中，硅晶圆背面与基座的空隙中存在的氯原子会对晶圆背面产生蚀刻作用(Si和氯离子反应会生成SiHCl₃、SiCl₄和氢气)，蚀刻会放大在外延之前工艺在硅晶圆背部的损伤。造成硅外延晶圆良品率的下降。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种外延生长基座，用于解决外延沉积过程中导致自然氧化层的不完全去除并且形成针孔状漏出硅的区域，继而导致晶圆背部形成不均匀的硅膜的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

根据本发明实施例的一种外延生长基座，包括：

底座，所述底座的外缘周向间隔设有多个贯穿所述底座的气体通道；

环形承载台，用于承载晶圆，所述环形承载台围设于所述底座外，所述环形承载台的上表面的高度高于所述底座的上表面的高度。

进一步地，所述气体通道包括：

至少一个分支点；

多条分通道，其中，每一分支点连接至少两条分通道，通过一分支点连通的两条分通道之间具有弯折角。

进一步地，至少一条所述分通道的开口设于所述底座的上表面、至少一条所述分通道的开口设于所述底座的下表面。

进一步地，所述分支点的数量为一个，所述分通道的数量为三条，其中一条所述分通道的开口设于所述底座的上表面，另外两条所述分通道的开口设于所述底座的下表面，或，其中一条所述分通道开口设于所述底座的下表面，另外两条所述分通道的开口设于所述底座的上表面。

进一步地，所述分支点的数量为一个，所述分通道的数量为四条，其中一条所述分通道的开口设于所述底座的上表面，另外三条所述分通道的开口设于所述底座的下表面，或，其中一条所述分通道的开口设于所述底座的下表面，另外三条所述分通道的开口设于所述底座的上表面。

进一步地，还包括：

若干支撑孔，所述若干支撑孔周向间隔设于所述底座外缘并贯穿所述底座。

进一步地，所述底座的上表面呈曲面。

进一步地，所述外延生长基座还包括：

环形凸台，所述环形凸台围设于所述环形承台面的外缘。

本发明上述技术方案的有益效果如下：