[发明专利]一种外延生长基座有效

专利信息
申请号: 201910718301.0 申请日: 2019-08-05
公开(公告)号: CN110429050B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 俎世琦;方圭哲;金柱炫;王力 申请(专利权)人: 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;胡影
地址: 710000 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 外延 生长 基座
【权利要求书】:

1.一种外延生长基座,其特征在于,包括:

底座,所述底座的外缘周向间隔设有若干贯穿所述底座的气体通道;

环形承载台,用于承载晶圆,所述环形承载台围设于所述底座外,所述环形承载台的上表面的高度高于所述底座的上表面的高度;

所述气体通道包括:

至少一个分支点;

多条分通道,其中,每一分支点连接至少两条分通道,通过一分支点连通的两条分通道之间具有弯折角,形成弯曲的分通道,避免光源对晶圆背面直接照射。

2.根据权利要求1所述的一种外延生长基座,其特征在于,至少一条所述分通道的开口设于所述底座的上表面、至少一条所述分通道的开口设于所述底座的下表面。

3.根据权利要求2所述的一种外延生长基座,其特征在于,所述分支点的数量为一个,所述分通道的数量为三条,其中一条所述分通道的开口设于所述底座的上表面,另外两条所述分通道的开口设于所述底座的下表面,或,其中一条所述分通道开口设于所述底座的下表面,另外两条所述分通道的开口设于所述底座的上表面。

4.根据权利要求2所述的一种外延生长基座,其特征在于,所述分支点的数量为一个,所述分通道的数量为四条,其中一条所述分通道的开口设于所述底座的上表面,另外三条所述分通道的开口设于所述底座的下表面,或,其中一条所述分通道的开口设于所述底座的下表面,另外三条所述分通道的开口设于所述底座的上表面。

5.根据权利要求1所述的一种外延生长基座,其特征在于,还包括:

若干支撑孔,所述若干支撑孔周向间隔设于所述底座外缘并贯穿所述底座。

6.根据权利要求1所述的一种外延生长基座,其特征在于,所述底座的上表面呈曲面。

7.根据权利要求1所述的一种外延生长基座,其特征在于,还包括:

环形凸台,所述环形凸台围设于所述环形承载 台的外缘。

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