[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体部，包括第1导电型的第1半导体层；

第1电极，设置于上述半导体部的表面上；

第1控制电极，配置于在上述半导体部的上述表面侧设置的第1沟槽的内部，隔着第1绝缘膜而与上述半导体部电绝缘；

第2控制电极，在上述半导体部的上述表面侧配置于与上述第1沟槽相邻的第2沟槽的内部，隔着第2绝缘膜而与上述半导体部电绝缘；

第2电极，隔着第3绝缘膜而设置于上述半导体部的上述表面上，与上述第1控制电极及上述第2控制电极电连接，

上述第2电极与上述第1电极分离而配置，

上述第1控制电极及上述第2控制电极，分别具有：位于上述半导体部与上述第1电极之间的第1部分、位于上述半导体部与上述第2电极之间的第2部分、及与上述第1部分和上述第2部分相连的第3部分，

上述半导体部还包括：第2导电型的第2半导体层，设置于上述第1控制电极与上述第2控制电极之间；第1导电型的第3半导体层；及第2导电型的第4半导体层，

上述第2半导体层，设置于上述第1半导体层上，并沿着上述第1控制电极及上述第2控制电极的上述第1部分、上述第3部分及上述第2部分而延伸，

上述第3半导体层，选择性地设置于上述第2半导体层与上述第1电极之间，

上述第4半导体层，选择性地设置于上述第2半导体层上，在上述第1控制电极及上述第2控制电极的延伸方向上沿着上述第1控制电极及上述第2控制电极的上述第3部分及上述第2部分而延伸，包含比上述第2半导体层的第2导电型杂质高浓度的第2导电型杂质。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

上述第4半导体层包括位于上述第2半导体层与上述第2电极之间的端部。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备：

第1场板，设置于上述第1沟槽的内部，位于上述第1控制电极与上述第1半导体层之间；以及

第2场板，设置于上述第2沟槽的内部，位于上述第2控制电极与上述第1半导体层之间。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

上述第1场板具有第1端部，该第1端部在上述第1控制电极及上述第2控制电极的延伸方向即第1方向上与上述第1控制电极相比位于更外侧，

上述第2场板具有第2端部，该第2端部在上述第1方向上与上述第2控制电极相比位于更外侧，

上述第2半导体层及上述第4半导体层分别包括与上述第1控制电极及上述第2控制电极相比更向上述第1方向突出的部分。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

上述第2半导体层具有位于上述第1场板的第1端部与上述第2场板的第2端部之间的端部。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

上述第4半导体层经由上述第2半导体层而与上述第1电极电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

上述半导体部还包括第2导电型的第5半导体层，

上述第5半导体层，选择性地设置于上述第2半导体层与上述第1电极之间，

上述第1电极与上述第5半导体层接触，并与上述第5半导体层电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

上述第4半导体层，经由上述第2半导体层及上述第5半导体层而与上述第1电极电连接。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，

上述第4半导体层具有的下表面，与上述第5半导体层的下表面相同或者位于比上述第5半导体层的下表面更深的等级的位置。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，

上述第4半导体层，包括位于上述第2半导体层与上述第1电极之间的部分，并与上述第1电极电连接。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，

上述第4半导体层与上述第1电极接触。