[发明专利]具备清洁功能的半导体工艺设备及其清洁方法

说明书

本发明涉及具备清洁功能的半导体工艺设备及其清洁方法，包括：腔室，在内部提供基板处理空间；第一排气部，从所述腔室内部排放工艺气体；第一供气部，向所述腔室内部供应惰性气体；第二供气部，向所述腔室内部供应清洁气体而在所述腔室内部产生烟气；以及，第二排气部，从所述腔室内部排放所述惰性气体、所述清洁气体、所述烟气或者混合气体，所述混合气体混合有所述惰性气体、所述清洁气体和所述烟气。

技术领域

本发明涉及具备清洁功能的半导体工艺设备及利用清洁功能的半导体工艺设备的清洁方法。

背景技术

半导体工艺设备是在夹盘(chuck)上安放基板并通过半导体工艺处理基板的装置。

例如，通过半导体工艺处理基板的装置可向腔室内部注入工艺气体来执行等离子体蒸镀及蚀刻中一个以上。通常，为了蚀刻形成在基板上的薄膜，将氯(Cl)系气体用作工艺气体。

当将这种氯系气体用作工艺气体并重复执行蚀刻工艺时，在腔室内部产生反应副产物。产生的反应副产物沉积在腔室内部，在后续工艺中对基板作用为污染源，因此需要用于去除其的腔室内部的周期性清洁工艺。

一般来说，腔室清洁工艺伴随有开启腔室盖来去除残留在腔室内壁及部件上的残留副产物的过程。在此过程中，当开启腔室盖时，产生烟气(Fume)。

烟气例如可以是，残留在腔室内部的氯与在开启腔室盖时流入腔室内部的大气气体相遇急剧反应而产生的氯化氢(HCl)。

由于烟气是对人体有害的成分，因此作业人员在穿戴防毒面罩等之后开启腔室盖，之后去除沉积在腔室内部的反应副产物。但是，这种清洁过程存在的问题是作业人员可能会吸入有害物质。

作为清洁腔室的另一方法，不开启腔室的盖，向腔室内部供应与氯反应的清洁气体而产生烟气，并将其通过与腔室连接的泵进行排放。之后，作业人员开启腔室盖，去除沉积在腔室内部及部件上的反应副产物。但是，这种方法存在的问题是，烟气在具有比腔室内部的温度相对低的温度的连接腔室和泵的泵送管道中以粉末形态固着，从而半导体工艺设备的性能降低。并且，存在的问题是，当使用泵时，由于氯的排放速度比氯化氢的生成速度更快，因此氯直接被吸入泵内，对泵的部件引起腐蚀，从而半导体工艺设备发生故障。

现有技术文献

专利文献

专利文献1韩国授权专利10-0266681(2000年06月27日)

专利文献2韩国授权专利10-1078536(2011年10月25日)

专利文献3韩国授权专利10-1720620(2017年03月22日)

发明内容

本发明的目的在于提供一种具备清洁功能的半导体工艺设备及利用清洁功能的半导体工艺设备的清洁方法。

在本发明的具备清洁功能的半导体工艺设备中，所述具备清洁功能的半导体工艺设备包括：腔室，在内部提供基板处理空间；第一排气部，从所述腔室内部排放工艺气体；第一供气部，向所述腔室内部供应惰性气体；第二供气部，向所述腔室内部供应清洁气体而在所述腔室内部产生烟气；以及，第二排气部，从所述腔室内部排放所述惰性气体、所述清洁气体、所述烟气或者混合气体，所述混合气体混合有所述惰性气体、所述清洁气体和所述烟气。

其中，所述第二排气部包括：排气阀，连接于所述腔室并开闭所述惰性气体、所述清洁气体、所述烟气或者所述混合气体的排放；以及抽吸风扇，调节所述惰性气体、所述清洁气体、所述烟气或者所述混合气体的排放量。

其中，所述半导体工艺设备还包括控制部，所述控制部控制所述抽吸风扇，所述控制部控制所述抽吸风扇的旋转速度。