[发明专利]具备清洁功能的半导体工艺设备及其清洁方法

权利要求书

1.一种具备清洁功能的半导体工艺设备，其中，所述具备清洁功能的半导体工艺设备包括：

腔室，在内部提供基板处理空间；

第一排气部，从所述腔室内部排放工艺气体；

第一供气部，向所述腔室内部供应惰性气体；

第二供气部，向所述腔室内部供应清洁气体而在所述腔室内部产生烟气；以及，

第二排气部，从所述腔室内部排放所述惰性气体、所述清洁气体、所述烟气或者混合气体，所述混合气体混合有所述惰性气体、所述清洁气体和所述烟气，

所述第二排气部包括：

抽吸风扇，调节所述惰性气体、所述清洁气体、所述烟气或者所述混合气体的排放量，

所述半导体工艺设备还包括：

控制部，控制所述抽吸风扇的旋转速度；以及

检测装置，设置于所述第二排气部，并且检测所述烟气的残留量，

所述检测装置检测的所述烟气的残留量的值输入至所述控制部，将输入的值与基准设定值进行比较来调节所述抽吸风扇的旋转速度。

2.根据权利要求1所述的具备清洁功能的半导体工艺设备，其中，

所述第二排气部包括：

排气阀，连接于所述腔室并开闭所述惰性气体、所述清洁气体、所述烟气或者所述混合气体的排放。

3.根据权利要求1所述的具备清洁功能的半导体工艺设备，其中，

所述控制部分别控制所述第一排气部、所述第一供气部、所述第二供气部及所述第二排气部中的一个以上，或者关联控制所述第一排气部、所述第一供气部、所述第二供气部和所述第二排气部中的两个以上。

4.根据权利要求1所述的具备清洁功能的半导体工艺设备，其中，

从所述检测装置向所述控制部输入检测到的所述残留量的值，所述控制部基于被输入的所述值控制所述第二供气部及所述第二排气部的驱动。

5.根据权利要求1所述的具备清洁功能的半导体工艺设备，其中，

所述半导体工艺设备还包括加热装置，所述加热装置设置于所述第二供气部或所述第二排气部侧，并且加热所述烟气。

6.一种半导体工艺设备的清洁方法，利用包括连接于腔室的第一排气部、第一供气部、第二供气部及第二排气部的半导体工艺设备来去除存在于所述腔室内部的烟气，其中，所述清洁方法包括以下步骤：

从所述第一供气部向所述腔室内部供应惰性气体，直至所述腔室内部达到基准设定压力；

在所述腔室内部的压力达到所述基准设定压力之后，中断来自所述第一供气部的所述惰性气体的供应；

启动所述第二排气部，在所述腔室内部形成气流，以使得所述腔室内部的所述惰性气体向所述腔室外部排放；以及，

从所述第二供气部向所述腔室内部供应清洁气体，

所述第二排气部包括抽吸风扇，

形成所述气流的步骤将设置于所述第二排气部的检测装置检测的所述烟气的残留量的值与基准设定值进行比较来调节所述抽吸风扇的旋转速度从而调节所述惰性气体的排放量。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺设备的清洁方法，其中，

在供应所述清洁气体的步骤中，清洁气体代替所述惰性气体而保持所述腔室内部的压力比所述腔室外部的压力小，由此从所述第二供气部向所述腔室内部持续流入所述清洁气体。