[发明专利]鳍式场效晶体管结构及其制造方法

说明书

本公开提供一种鳍式场效晶体管及其制造方法。该鳍式场效晶体管结构包括一第一鳍件及一第二鳍件。该第一鳍件位于一第一基部上，并具有一第一通道区域。该第一通道区域具有一第一通道长度。该第二鳍件位于一第二基部上，并具有一第二通道区域。该第二通道区域具有一第二通道长度。该第二通道长度不同于该第一通道长度。

本申请案主张2018/12/27申请的美国临时申请案第62/785,418号及2019/04/05申请的美国正式申请案第16/376,578号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种鳍式场效晶体管结构及其制造方法。尤其涉及一种具有不同通道长度的鳍式场效晶体管结构及其制造方法。

背景技术

半导体装置基本上用于许多现代化的应用。伴随着电子科技的进化，半导体装置在持续变小的同时，提供较佳的功能性，并包括较大数量的集成电路(integratedcircuits)。由于半导体装置的小型化尺寸，鳍式结构(fin structures)广泛地使用在场效晶体管(field-effect transistors)。

目前已提供一传统的鳍式场效晶体管(FinFET)结构。所述的场效晶体管结构包括一半导体基底(semiconductor substrate)以及多个鳍件(fins)，鳍件朝远离半导体基底的方向延伸。然而，各鳍件具有相同的通道长度(channel length)，且沿着鳍件的侧壁及顶端流通电流并无法不同。

上文的“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种鳍式场效晶体管结构。该鳍式场效晶体管结构包括一第一鳍件及一第二鳍件，该第一鳍件位于一第一基部(first base)上，该第一鳍件具有一第一通道区域(first channel region)，其中该第一通道区域具有一第一通道长度，该第二鳍件位于一第二基部(second base)上，该第二鳍件具有一第二通道区域(secondchannel region)，其中该第二通道区域具有一第二通道长度，且该第二通道长度不同于该第一通道长度。

在本公开的一些实施例中，该鳍式场效晶体管结构还包括一半导体基底，其中该半导体基底包含该第一基部及该第二基部。

在本公开的一些实施例中，该第一鳍件从该半导体基底以一第一方向突伸，该第一通道长度沿着与该第一方向正交的一第二方向进行测量，该第二鳍件从该半导体基底以该第一方向突伸，且该第二通道区域所具有的该第二通道长度，沿着该第二方向所测量。

在本公开的一些实施例中，该第一鳍件包括一第一底部以及一第一顶部，该第一底部埋设在位于该第一基部上的一第一绝缘层内，该第一顶部位于该第一底部上，该第二鳍件包括一第二底部及一第一顶部，该第二底部埋设在位于该第二基部上的一第二绝缘层内，该第二顶部位于该第二底部上，该第一顶部包含该第一通道区域，且该第二顶部包含该第二通道区域。

在本公开的一些实施例中，该第一顶部具有一第一漏极区域、一第一源极区域以及该第一通道区域，该第一通道区域位于该漏极区域与该源极区域之间，而该第一漏极区域、该第一通道区域以及该源极区域沿着该第二方向配置。

在本公开的一些实施例中，该第一顶部的该第一通道区域具有一第一通道宽度，该第一通道宽度沿着垂直正交于该第二方向与该第一方向的一第三方向进行测量，该第一鳍件的该第一漏极区域及该第一源极区域具有一第一顶端宽度，而该第一通道宽度不同于该第一顶端宽度。

在本公开的一些实施例中，该第一通道宽度小于该第一顶端宽度。

在本公开的一些实施例中，该第一底部具有沿着该第三方向的一第一底端宽度，该第一通道宽度小于该第一底端宽度。