[发明专利]鳍式场效晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效晶体管结构，包括：

一第一鳍件，位于一第一基部上，该第一鳍件具有一第一通道区域，其中该第一通道区域具有一第一通道长度；以及

一第二鳍件，位于一第二基部上，该第二鳍件具有一第二通道区域，其中该第二通道区域具有一第二通道长度，且该第二通道长度不同于该第一通道长度。

2.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管结构，还包括一半导体基底，其中该半导体基底包含该第一基部及该第二基部。

3.如权利要求2所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一鳍件从该半导体基底以一第一方向突伸，该第一通道长度沿着与该第一方向正交的一第二方向进行测量，该第二鳍件从该半导体基底以该第一方向突伸，且该第二通道区域所具有的该第二通道长度，沿着该第二方向所测量。

4.如权利要求3所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一鳍件包括一第一底部以及一第一顶部，该第一底部埋设在位于该第一基部上的一第一绝缘层内，该第一顶部位于该第一底部上，该第二鳍件包括一第二底部及一第一顶部，该第二底部埋设在位于该第二基部上的一第二绝缘层内，该第二顶部位于该第二底部上，该第一顶部包含该第一通道区域，且该第二顶部包含该第二通道区域。

5.如权利要求4所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一顶部具有一第一漏极区域、一第一源极区域以及该第一通道区域，该第一通道区域位于该漏极区域与该源极区域之间，而该第一漏极区域、该第一通道区域以及该源极区域沿着该第二方向配置。

6.如权利要求5所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一顶部的该第一通道区域具有一第一通道宽度，该第一通道宽度沿着垂直正交于该第二方向与该第一方向的一第三方向进行测量，该第一鳍件的该第一漏极区域及该第一源极区域具有一第一顶端宽度，而该第一通道宽度不同于该第一顶端宽度。

7.如权利要求6所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一通道宽度小于该第一顶端宽度。

8.如权利要求6所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一底部具有沿着该第三方向的一第一底端宽度，该第一通道宽度小于该第一底端宽度。

9.如权利要求2所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一鳍件与该第二鳍件与该半导体基底为一体成型的单片。

10.如权利要求2所述的鳍式场效晶体管结构，还包括一第一栅极及一第二栅极，该第一栅极覆盖在该第一通道区域上，该第二栅极覆盖在该第二通道区域上。

11.一种鳍式场效晶体管结构的制造方法，包括：

在一半导体基底上形成一第一鳍件，其中该第一鳍件包括一第一底部及一第一顶部，该第一底部埋设在位于该半导体基底上的一第一绝缘层内，该第一顶部位于该第一底部上；

形成一阻挡层，其中该阻挡层包括二阻挡屏障，该二阻挡屏障位于该第一顶部上，其中至少一阻挡屏障具有一第一屏障宽度，该第一屏障宽度沿着一第二方向所测量；以及

削减该阻挡屏障，以使该阻挡屏障的一宽度从该第一屏障宽度缩减为一第二屏障宽度，而该第二屏障宽度小于该第一屏障宽度，其中位于该二阻挡屏障之间的该第一顶部的一部位界定成一第一通道区域，且该第一通道区域具有一第一通道长度，该第一通道长度沿着该第二方向所测量。

12.如权利要求11所述的制造方法，还包括：

形成一假性栅极，覆盖在形成一阻挡层之前的该第一顶部的一部位，其中该假性栅极位于形成该阻挡层之后的该二阻挡屏障之间；以及

移除该假性栅极，以暴露该二阻挡屏障极该第一顶部的该部位。

13.如权利要求12所述的制造方法，其中该阻挡层还包括一阻挡盖，该阻挡盖位于该假性栅极的一顶端，其中该阻挡盖在移除该假性栅极期间而被移除。