[发明专利]非易失性存储装置

说明书

一种非易失性存储装置。实施方式提供一种能够进行适当的存储单元控制的非易失性存储装置。实施方式涉及的非易失性存储装置具备：第1布线(10)、第2布线(20)以及存储单元(30)，所述存储单元(30)连接在第1布线与第2布线之间，并具有电阻变化存储元件(31)、第1选择元件(32)以及第2选择元件(33)的串联连接构造，第1选择元件以及第2选择元件分别具有在两端子间施加了第1阈值电压Vth1以及第2阈值电压Vth2时从截止状态转变为导通状态而两端子间的电压下降到第1维持电压Vhold1以及第2维持电压Vhold2的特性，将第1选择元件以及第2选择元件的截止电流分为设为Ioff1以及Ioff2，则满足以下关系：Vth1＞Vth2＞Vhold1≥Vhold2且Ioff1＜Ioff2。

本申请主张以日本专利申请2019-053603号(申请日：2019年3月20日)为在先申请的优先权。本申请通过参照该在先申请而包含在先申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及非易失性存储装置。

背景技术

提出了一种非易失性存储装置(半导体集成电路装置)，其在半导体基板上设置有多个存储单元，所述多个存储单元具有串联连接了磁阻效应元件等电阻变化存储元件和具有开关功能的元件的构造。

发明内容

本发明要解决的技术课题在于提供一种能够进行适当的存储单元控制的非易失性存储装置。

实施方式涉及的非易失性存储装置具备：第1布线、与所述第1布线交叉的第2布线以及存储单元，所述存储单元连接在所述第1布线与所述第2布线之间，具有电阻变化存储元件、第1开关元件以及第2开关元件的串联连接构造，所述第1开关元件具有在两端子间施加了第1阈值电压Vth1时从截止(OFF)状态转变为导通(ON)状态而两端子间的电压下降到第1维持电压(hold voltage)Vhold1的特性，所述第2开关元件具有在两端子间施加了第2阈值电压Vth2时从截止状态转变为导通状态而两端子间的电压下降到第2维持电压Vhold2的特性，将所述第1开关元件的截止电流设为Ioff1，将所述第2开关元件的截止电流设为Ioff2，则满足以下关系：

Vth1＞Vth2＞Vhold1≥Vhold2且

Ioff1＜Ioff2。

附图说明

图1是示意性地表示实施方式涉及的非易失性存储装置的构成的一例的鸟瞰图。

图2是示意性地表示实施方式涉及的非易失性存储装置的构成的其他例子的鸟瞰图。

图3是示意性地表示实施方式涉及的非易失性存储装置中使用的磁阻效应元件的基本构成的一例的剖面图。

图4是示意性地表示实施方式涉及的非易失性存储装置中使用的磁阻效应元件的基本构成的其他例子的剖面图。

图5是示意性地表示实施方式涉及的非易失性存储装置中使用的选择元件的电压-电流特性的图。

图6是示意性地表示比较例涉及的非易失性存储装置的工作特性的时间图。

图7是示意性地表示实施方式涉及的非易失性存储装置的工作特性的时间图。

图8是示意性地表示实施方式涉及的非易失性存储装置的第1变更例的存储单元的构成的剖面图。

图9是示意性地表示实施方式涉及的非易失性存储装置的第2变更例的存储单元的构成的剖面图。

图10是示意性地表示实施方式涉及的非易失性存储装置的第3变更例的存储单元的构成的剖面图。

图11是示意性地表示实施方式涉及的非易失性存储装置的第4变更例的存储单元的构成的剖面图。

标号说明