[发明专利]非易失性存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：

第1布线，其在第1方向上延伸；

第2布线，其在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，与所述第1布线分离地交叉；以及

存储单元，其连接在所述第1布线与所述第2布线之间，具有电阻变化存储元件、第1开关元件以及第2开关元件的串联连接构造，

所述第1开关元件具有在两端子间施加了第1阈值电压Vth1时从截止状态转变为导通状态而两端子间的电压下降到第1维持电压Vhold1的特性，

所述第2开关元件具有在两端子间施加了第2阈值电压Vth2时从截止状态转变为导通状态而两端子间的电压下降到第2维持电压Vhold2的特性，

将所述第1开关元件的截止电流设为Ioff1，将所述第2开关元件的截止电流设为Ioff2，则满足以下关系：

Vth1＞Vth2＞Vhold1≥Vhold2且

Ioff1＜Ioff2。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

所述串联连接构造具有对于所述第1开关元件以及所述第2开关元件的层叠构造串联连接了所述电阻变化存储元件的构成。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，

构成所述第1开关元件的材料的组成以及构成所述第2开关元件的材料的组成在层叠方向上连续性地变化。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，

在所述第1开关元件与所述第2开关元件之间设置有间隔层。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

所述电阻变化存储元件设置在所述第1开关元件与所述第2开关元件之间。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

所述串联连接构造还包括第3开关元件，

所述第3开关元件具有在两端子间施加了第3阈值电压Vth3时从截止状态转变为导通状态而两端子间的电压下降到第3维持电压Vhold3的特性，

将所述第3开关元件的截止电流设为Ioff3，则满足以下关系：

Vth1＞Vth2＞Vth3＞Vhold1≥Vhold2≥Vhold3且

Ioff1＜Ioff2＜Ioff3。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

所述电阻变化存储元件是磁阻效应元件。