[发明专利]非易失性存储装置在审
| 申请号： | 201910705217.5 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN111724829A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 中山昌彦;须之内一正;须藤岳;甲斐正 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 | ||
1.一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：
多条第1布线，其分别在第1方向上延伸；
多条第2布线，其分别在第2方向上延伸，与所述多条第1布线交叉；以及
多个存储单元，其连接在所述多条第1布线与所述多条第2布线之间，分别包括电阻变化存储元件以及选择器，
从与所述第1方向以及所述第2方向垂直的第3方向观察，与任意的所述第1布线连接的存储单元与所述任意的第1布线对应地呈直线状排列，与任意的所述第2布线连接的存储单元相对于所述任意的第2布线而交替地向相反方向偏移来排列。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述第1方向和所述第2方向相互正交。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述多条第1布线设置在所述多个存储单元的下层侧。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
与所述任意的第1布线连接的存储单元与所述任意的第1布线的中心线对应地呈直线状排列。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
与所述任意的第1布线连接的存储单元以等间隔排列。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
与所述任意的第2布线连接的存储单元相对于所述任意的第2布线的中心线而交替地向相反方向偏移来排列。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储装置，其特征在于，
与所述任意的第2布线连接的存储单元相对于所述任意的第2布线的中心线偏移的偏移量相等。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
将与所述任意的第2布线连接的连续的三个存储单元设为第1存储单元、第2存储单元以及第3存储单元，所述第1存储单元和所述第3存储单元配置在相对于通过所述第2存储单元的中心点且与所述第1方向平行的线对称的位置。
9.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
将与所述任意的第2布线连接的连续的三个存储单元设为第1存储单元、第2存储单元以及第3存储单元，所述第1存储单元和所述第3存储单元配置在相对于连接了所述第2存储单元的第1布线的中心线对称的位置。
10.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述电阻变化存储元件是磁阻效应元件。
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