[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。该显示面板包括：相对设置的第一基板和第二基板，发光二极管LED结构层，包括多个LED，设置在第二基板上；LED包括沿远离第一基板方向上层叠设置的N电极、LED芯片和P电极；多个N电极构成N电极层，多个P电极构成P电极层；其中，P电极与第一基板的阳极通过硅通孔连接，N电极与第一基板的阴极通过硅通孔连接，P电极层为公共电极。该显示面板能够提高第一基板和第二基板的对位精度，同时改善N型氮化镓在N电极一侧的欧姆接触不良的问题。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术

微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED)是指像素之间的距离为微米等级的LED器件。Micro-LED显示装置作为新一代的显示技术，具有体积小、色域宽、亮度高、寿命较长的优势，并且其工作电压低、发光效率较高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽，能很好的满足各种需要，是未来微显示技术的主流发展方向。

然而，由于Micro-LED的尺寸较小，在制作时容易出现硅基互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)背板和硅基发光二极管(LightEmitting Diode，LED)外延片对位不良的问题，影响Micro-LED显示装置的良率。

发明内容

本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够提高第一基板和第二基板的对位精度，同时改善N型氮化镓在N电极一侧的欧姆接触不良的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

相对设置的第一基板和第二基板，

发光二极管LED结构层，包括多个LED，设置在第二基板上；LED包括沿远离第一基板方向上层叠设置的N电极、LED芯片和P电极；多个N电极构成N电极层，多个P电极构成P电极层；

其中，P电极与第一基板的阳极通过硅通孔连接，N电极与第一基板的阴极通过硅通孔连接，P电极层为公共电极。

可选的，第一基板包括与第二基板相接触的第一硅层，设置在第一硅层远离第二基板一侧的第一绝缘层，设置在第一绝缘层远离第一硅层一侧的电极层；

第二基板包括与第一基板相接触的像素限定层，像素限定层包括分隔体和多个用于容置LED的开口区域。

可选的，显示面板包括显示区和围绕显示区的非显示区；

电极层包括位于显示区的多个阴极和位于非显示区的一个阳极；N电极层包括位于显示区的多个N电极，每个阴极与一个N电极在显示面板上的投影至少部分交叠；P电极层位于非显示区和显示区，阳极和P电极层在显示面板上的投影至少部分交叠。

可选的，P电极层包括的多个P电极连为一体并覆盖像素限定层。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括具有上述第一方面任一特征的显示面板，

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，包括：

形成第一基板，并在第一基板上制作硅通孔，第一基板包括第一硅层和第一绝缘层，硅通孔贯穿第一硅层和第一绝缘层；

形成第二基板，第二基板包括发光二极管LED结构层；

将第一基板和第二基板键合，形成N电极层；

在第二基板上形成像素限定层和多个LED，在第一基板的第一绝缘层远离第一硅层一侧上形成电极层；