[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

相对设置的第一基板和第二基板，

发光二极管LED结构层，包括多个LED，设置在所述第二基板上；所述LED包括沿远离所述第一基板方向上层叠设置的N电极、LED芯片和P电极；多个N电极构成N电极层，多个P电极构成P电极层；

其中，所述P电极与所述第一基板的阳极通过硅通孔连接，所述N电极与所述第一基板的阴极通过硅通孔连接，所述P电极层为公共电极。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板包括与所述第二基板相接触的第一硅层，设置在所述第一硅层远离所述第二基板一侧的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层远离所述第一硅层一侧的电极层；

所述第二基板包括与所述第一基板相接触的像素限定层，所述像素限定层包括分隔体和多个用于容置所述LED的开口区域。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；

所述电极层包括位于所述显示区的多个阴极和位于所述非显示区的一个阳极；所述N电极层包括位于所述显示区的多个N电极，每个阴极与一个N电极在所述显示面板上的投影至少部分交叠；所述P电极层位于所述非显示区和所述显示区，所述阳极和所述P电极层在所述显示面板上的投影至少部分交叠。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述P电极层包括的多个P电极连为一体并覆盖所述像素限定层。

5.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任一所述的显示面板。

6.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

形成第一基板，并在所述第一基板上制作硅通孔，所述第一基板包括第一硅层和第一绝缘层，所述硅通孔贯穿所述第一硅层和所述第一绝缘层；

形成第二基板，所述第二基板包括发光二极管LED结构层；

将所述第一基板和所述第二基板键合，形成N电极层；

在所述第二基板上形成像素限定层和多个LED，在所述第一基板的所述第一绝缘层远离所述第一硅层一侧上形成电极层；

其中，所述LED包括沿远离所述第一基板方向上层叠设置的N电极、LED芯片和P电极；多个N电极构成N电极层，多个P电极构成P电极层；所述P电极与所述第一基板的阳极通过所述硅通孔连接，所述N电极与所述第一基板的阴极通过所述硅通孔连接，所述P电极层为公共电极。

7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作硅通孔包括：

在所述第一基板上制作通孔，所述通孔贯穿所述第一硅层和所述第一绝缘层；

在所述通孔的侧壁上依次形成第一隔离层和第二隔离层，并在所述通孔内填充导电材料；

在所述导电材料上形成并图形化第三隔离层。

8.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，将所述第一基板和所述第二基板键合，形成N电极层包括：

在所述第一基板靠近所述第一硅层的一侧形成第一键合层；

在所述第二基板的所述LED结构层的一侧形成第二键合层；

将所述第一键合层和所述第二键合层键合，形成所述N电极层。

9.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；在所述第二基板上形成像素限定层和多个LED包括：

图形化所述N电极层和所述LED结构层，并在图形化后的结构上形成并图形化像素限定层；

在图形化后的所述像素限定层上形成P电极层；

其中，图形化后所述N电极层包括位于所述显示区的多个N电极，所述P电极层位于所述非显示区和所述显示区，所述P电极层包括的多个P电极连为一体并覆盖所述像素限定层，所述P电极层通过过孔与所述硅通孔连接。

10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述第一基板的所述第一绝缘层远离所述第一硅层一侧上形成电极层包括：

在所述第一绝缘层上形成多个阴极和一个阳极，其中，多个所述阴极位于所述显示区，所述阳极位于所述非显示区，每个阴极与一个N电极在所述显示面板上的投影至少部分交叠；所述阳极和所述P电极层在所述显示面板上的投影至少部分交叠。