[发明专利]一种提高电能输出质量的船用逆变器有效

专利信息
申请号: 201910697489.5 申请日: 2019-07-30
公开(公告)号: CN110336475B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 魏海峰;戴磊;张懿;刘维亭;暴琳;李垣江;王敏;王伟然 申请(专利权)人: 江苏舾普泰克自动化科技有限公司
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 杨胜
地址: 212000 江苏省镇*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 电能 输出 质量 逆变器
【权利要求书】:

1.一种提高电能输出质量的船用逆变器,其特征在于,包括:

绝缘衬套,其内间隔设置有两个开口方向相反的第一矩形凹腔和第二矩形凹腔,所述第一矩形凹腔和第二矩形凹腔之间夹设有第三矩形凹腔;

第一IGBT,其设置在所述第一矩形凹腔中;

第二IGBT,其设置在所述第二矩形凹腔中;以及

内置电感,其设置在所述第三矩形凹腔中;

其中,所述第一IGBT的发射极连接至所述第二IGBT的集电极,所述内置电感的首端连接至所述第一IGBT发射极与所述第二IGBT集电极的共接端,所述内置电感的尾端从所述第三矩形凹腔中向外引出并连接至交流电源;

所述第一IGBT的栅极和发射极从所述第一矩形凹腔开口中引出,所述第二IGBT的栅极和发射极从所述第二矩形凹腔开口中引出,所述第一矩形凹腔开口顶部覆盖设置一第一绝缘层,所述第一绝缘层延伸至所述第二矩形凹腔底部的所述绝缘衬套上,所述第一绝缘层上开设有第一孔槽,所述第一孔槽的位置与第一IGBT发射极的位置对应,所述第二矩形凹腔底部的所述绝缘衬套上贯穿开设有第二孔槽,所述第二孔槽贯穿所述第一绝缘层;

所述第一绝缘层外侧设置第一导线,所述第一导线第一端贯穿所述第一孔槽连接所述第一IGBT发射极,所述第一导线第二端贯穿所述第二孔槽连接第二IGBT集电极;

所述第三矩形凹腔的开口方向与所述第二矩形凹腔开口方向一致,所述第三矩形凹腔两侧分别设置有一第一屏蔽层,所述第一屏蔽层所在平面与所述开口平面垂直,且所述第一屏蔽层面积覆盖所述IGBT的纵向端面。

2.如权利要求1所述的提高电能输出质量的船用逆变器,其特征在于,所述第三矩形凹腔底部填充有第二绝缘层,所述第二绝缘层的顶部设置一第二屏蔽层,所述第二屏蔽层覆盖所述第三矩形凹腔的横截面;所述第二屏蔽层顶部依次间隔设置有若干第三绝缘层,每个所述第三绝缘层中设置有一平面型螺旋线圈。

3.如权利要求2所述的提高电能输出质量的船用逆变器,其特征在于,各个所述螺旋线圈通过所述第三绝缘层间隔重叠设置,且相邻两个所述螺旋线圈首尾导电连接,所述第三矩形凹腔顶部设置一第三屏蔽层,所述第三屏蔽层覆盖所述第三矩形凹腔的横截面,且所述第三屏蔽层位于所述螺旋线圈顶部。

4.如权利要求3所述的提高电能输出质量的船用逆变器,其特征在于,所述内置电感包括交互间隔设置第一螺旋线圈和第二螺旋线圈,所述第二螺旋线圈的中心端连接相邻第一侧所述第一螺旋线圈的中心端,所述第二螺旋线圈的外围端连接相邻第二侧所述第一螺旋线圈的外围端。

5.如权利要求4所述的提高电能输出质量的船用逆变器,其特征在于,所述第三屏蔽层顶部填充有第四绝缘层,所述第四绝缘层中设置有一MOS管,所述MOS管的栅极、源极和漏极从所述第四绝缘层向外引出。

6.如权利要求5所述的提高电能输出质量的船用逆变器,其特征在于,所述第一绝缘层、第三矩形凹腔底部、第二绝缘层、第二屏蔽层上依次开设有贯通的连通的第三孔槽,所述第三孔槽中设置有第二导线,最底部的所述第一螺旋线圈的外围端通过所述第二导线与所述第一导线连接。

7.如权利要求6所述的提高电能输出质量的船用逆变器,其特征在于,所述第三屏蔽层和第四绝缘层上依次开设有贯通的连通的第四孔槽,所述第四孔槽中设置有第三导线,所述第三导线第一端与最顶部的所述第二螺旋线圈的外围端连接,所述第三导线的第二端从所述第四绝缘层向外引出。

8.如权利要求7所述的提高电能输出质量的船用逆变器,其特征在于,所述第三绝缘层中设置有一第四导线,所述第四导线的第一端与中心相邻两个所述第一螺旋线圈和第二螺旋线圈的共接端连接,所述第四导线的第二端从所述第四绝缘层向外引出并与所述MOS管的源极连接,所述MOS管的漏极与所述第三导线的引出端连接。

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