[发明专利]显示面板及其制作方法有效
| 申请号: | 201910696882.2 | 申请日: | 2019-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN110416244B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
| 发明(设计)人: | 崔霜 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/40;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 张海英 |
| 地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法。其中,该显示面板包括基底;多个LED微发光单元,位于基底的一侧;其中,LED微发光单元包括层叠的LED外延结构和第一电极,第一电极位于LED外延结构远离基底的一侧,第一电极包括锡烯层。本发明实施例提供的技术方案将电极设置为锡烯材料,可以提高导电率,降低线路产生的热量,避免显示装置温度过高,影响显示装置的显示效果和寿命等。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板及其制作方法。
背景技术
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
微发光二极管(Micro LED,μLED)显示器是一种以在一个基底上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器,每一个像素可定址、单独驱动点亮,像素点距离为微米级,属于自发光显示器,具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点。
目前微发光二极管显示阵列示设计在驱动阵列上方的微发光二极管阵列结构,通过正负电极与驱动阵列导通连接,以驱动阵列控制每个像素的微发光二极管的开关和亮度;而微发光二极管阵列由于其微米尺度,当为了达到高像素数目(PPI)显示时,会导致微发光二极管的密度极高,使得其存在散热不通畅的问题,从而导致芯片寿命的缩短等问题。
发明内容
本发明实施例提供了显示面板及其制作方法,将电极设置为锡烯材料,可以提高导电率,降低线路产生的热量,避免显示装置温度过高,影响显示装置的显示效果和寿命等。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:
基底;
多个LED微发光单元,位于基底的一侧;
其中,LED微发光单元包括层叠的LED外延结构和第一电极,第一电极位于LED外延结构远离基底的一侧,第一电极包括锡烯层。将锡烯作为第一电极,可以提高第一电极的导电性,降低第一电极的阻抗,减小第一电极的损耗,减小产生的热量,从而解决了高像素数目(PPI)显示会导致微发光二极管的密度极高,使得其存在温度过高影响显示装置的显示效果和寿命等的问题。
进一步地,第一电极还包括银层和锡银合金层,银层、锡银合金层和锡烯层沿远离基底的方向依次层叠排列。
进一步地,银层的厚度为大于或等于3纳米且小于或等于6纳米;锡银合金层的厚度为大于或等于0.6纳米且小于或等于1纳米;锡烯层的厚度为大于或等于5纳米且小于或等于10纳米。由于锡烯层越厚导电性越好,通过将其设置在此范围内,可兼顾成本和导电性能。
进一步地,显示面板还包括驱动电路结构,位于基底远离LED微发光单元的一侧,基底包括贯穿基底的多个导电通孔,LED外延结构靠近基底的一侧通过导电通孔与驱动电路结构电连接。通过导电通孔将LED微发光单元与驱动电路结构电连接,不需要进行焊盘对位键合过程,避免LED微发光单元与驱动电路结构形成在不同的基底上,在将LED电极与背板电极对位键合连接时易发生错位。
进一步地,还包括透明盖板,位于第一电极远离基底的一侧,透明盖板包括多个凸起结构,分别与多个LED微发光单元沿垂直于显示面板的方向一一相对应。该凸起结构类似凸透镜的作用,可以提高LED微发光单元的出光效率。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法,包括:
在基底的一侧形成多个LED微发光单元,LED微发光单元包括层叠的LED外延结构;
在LED外延结构远离基底的一侧形成第一电极,第一电极包括锡烯层。通过将电极设置为锡烯材料,可以提高导电率,降低线路产生的热量,避免显示装置温度过高,影响显示装置的显示效果和寿命等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





