[发明专利]显示面板及其制作方法有效
| 申请号: | 201910696882.2 | 申请日: | 2019-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN110416244B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
| 发明(设计)人: | 崔霜 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/40;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 张海英 |
| 地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基底;
多个LED微发光单元,位于所述基底的一侧;
其中,所述LED微发光单元包括层叠的LED外延结构和第一电极,所述第一电极位于所述LED外延结构远离所述基底的一侧,所述第一电极包括锡烯层;
所述第一电极还包括银层和锡银合金层,所述银层、所述锡银合金层和所述锡烯层沿远离所述基底的方向依次层叠排列。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述银层的厚度为大于或等于3纳米且小于或等于6纳米;所述锡银合金层的厚度为大于或等于0.6纳米且小于或等于1纳米;所述锡烯层的厚度为大于或等于5纳米且小于或等于10纳米。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括驱动电路结构,位于所述基底远离所述LED微发光单元的一侧,所述基底包括贯穿所述基底的多个导电通孔,所述LED外延结构靠近所述基底的一侧通过所述导电通孔与所述驱动电路结构电连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括透明盖板,位于所述第一电极远离所述基底的一侧,所述透明盖板包括多个凸起结构,分别与所述多个LED微发光单元沿垂直于所述显示面板的方向一一相对应。
5.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基底的一侧形成多个LED微发光单元,所述LED微发光单元包括层叠的LED外延结构;
在所述LED外延结构远离所述基底的一侧形成第一电极,所述第一电极包括锡烯层;
所述第一电极还包括银层和锡银合金层,所述银层、所述锡银合金层和所述锡烯层沿远离所述基底的方向依次层叠排列。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在所述LED外延结构远离所述基底的一侧形成第一电极之前,还包括:
将所述基底和所述LED外延结构设置于临时衬底上,所述临时衬底位于所述LED外延结构远离所述基底的一侧;
在所述基底远离所述LED外延结构的一侧形成贯穿所述基底的多个导电通孔,所述导电通孔与所述LED外延结构靠近所述基底的一侧电连接;
在所述基底远离所述LED外延结构的一侧形成驱动电路结构;
所述驱动电路结构与所述导电通孔电连接;
剥离所述临时衬底。
7.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述多个LED微发光单元的包括多个红光LED微发光单元、多个绿光LED微发光单元和多个蓝光LED微发光单元;
在基底的一侧形成多个LED微发光单元的层叠的LED外延结构包括:
在所述基底的一侧形成多个间隔设置的所述蓝光LED微发光单元,所述蓝光LED微发光单元包括层叠的LED外延结构;
在所述基底的一侧形成钝化层,所述钝化层覆盖所述多个蓝光LED微发光单元的LED外延结构远离所述基底的一侧,以及所述多个蓝光LED微发光单元的LED外延结构之间的区域;
在所述钝化层上形成多个间隔设置的第一开孔,所述第一开孔与所述蓝光LED微发光单元的LED外延结构间隔设置,所述多个第一开孔暴露所述基底;
在所述多个第一开孔内形成绿光LED微发光单元,所述绿光LED微发光单元包括层叠的LED外延结构;
在所述钝化层上形成多个间隔设置的第二开孔,所述第二开孔与所述蓝光LED微发光单元的LED外延结构和所述绿光LED微发光单元的LED外延结构间隔设置,所述多个第二开孔暴露所述基底;
在第二基底上形成所述多个间隔设置的红光LED微发光单元,所述红光LED微发光单元包括层叠的LED外延结构;
将所述多个红光LED微发光单元的LED外延结构置于所述多个第二开孔内;
剥离所述第二基底。
8.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述第一电极远离所述LED外延结构的一侧,形成透明盖板;所述透明盖板包括多个凸起结构,分别与所述多个LED微发光单元沿垂直于所述显示面板的方向一一相对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





