[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，包括:

提供基底，包括逻辑元件区以及存储器元件区；

在该基底上形成第一介电层；

在该存储器元件区的该第一介电层上形成多个存储器堆叠结构；

形成绝缘层，共型地覆盖该些存储器堆叠结构以及该第一介电层；

进行回蚀刻制作工艺以蚀刻移除部分该绝缘层，但不显露出任一该存储器堆叠结构；以及

形成第二介电层，填满该些存储器堆叠结构之间的间隙。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该回蚀刻制作工艺之后，位于该些存储器堆叠结构的顶面的该绝缘层的厚度小于位于该些存储器堆叠结构的侧壁的该绝缘层的厚度。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该些存储器堆叠结构和该第一介电层被该绝缘层覆盖而不与该第二介电层直接接触。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，另包含对该第二介电层进行第一化学机械研磨制作工艺，直到获得该第二介电层的平坦表面但不显露出该绝缘层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的制作方法，另包含:

在该逻辑元件区的该第二介电层中形成开口；

在该第二介电层上形成导电材料填满该开口；

进行第二化学机械研磨制作工艺以移除该沟槽外的该导电材料，使剩余在该沟槽内的该导电材料形成内连线结构；

在该第二介电层上形成第三介电层；以及

在该第三介电层中形成多个顶接触插塞，各该顶接触插塞对准在一该存储器堆叠结构的上方，贯穿该绝缘层并与一该存储器堆叠结构直接接触。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其中该第二化学机械研磨制作工艺之后，该绝缘层并未显露出来。

7.如权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其中该第二化学机械研磨制作工艺之后，显露出该些存储器堆叠结构的该顶面的该绝缘层。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中于该回蚀刻制成之后以及形成该第二介电层之前，另包含移除该逻辑元件区上的该第一介电层和该绝缘层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中形成该些存储器堆叠结构的步骤包含:

在该第一介电层上形成底电极层；

在该底电极层上形成磁隧穿结(MTJ)叠层；

在该磁隧穿结(MTJ)叠层上形成盖层；

在该盖层上形成图案化的顶电极层；以及

以该图案化的顶电极层为蚀刻掩模来蚀刻该盖层、该磁隧穿结叠层以及该底电极层，以图案化该盖层、该底电极层和该磁隧穿结叠层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，另包含于该存储器元件区上的该第一介电层中形成多个底接触插塞，其中各该存储器堆叠结构对准在一该底接触插塞的上方。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括:

基底，包括逻辑元件区以及存储器元件区；

第一介电层，位于该基底上；

多个存储器堆叠结构，位于该存储器元件区的该第一介电层上；

绝缘层，共型地覆盖该些存储器堆叠结构和该第一介电层，其中位于该些存储器堆叠结构的顶面的该绝缘层的厚度小于位于该些存储器堆叠结构的侧壁的该绝缘层的厚度；

第二介电层，位于该绝缘层上并且填满该些存储器堆叠结构之间的间隙；

第三介电层，位于该第二介电层上；以及

多个顶接触插塞，位于该第三介电层中并且分别对准在一该存储器堆叠结构上方，其中该些顶接触插塞贯穿该些存储器堆叠结构顶面上的该绝缘层并与该些存储器堆叠结构直接接触。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其中该些存储器堆叠结构和该第一介电层被该绝缘层覆盖而不与该第二介电层直接接触。