[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910687103.2 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112309954A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张田田;张浩;蒋莉;郭雯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上具有层间介质层；
在所述层间介质层上形成刻蚀阻挡层；
刻蚀所述刻蚀阻挡层至露出所述层间介质层的表面，形成开口；
在所述开口内填充满高电阻层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述高电阻层的填充方法为选择性生长法。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述高电阻层的材料为TiN或TaN或TiO2或WN或WSi。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述开口的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层材料包括氮化硅、氮氧化硅或氧化硅中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀阻挡层的方法包括化学气相沉积法、物理气相沉积法或原子层沉积法中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述层间介质层上形成刻蚀阻挡层之前，还包括形成金属插塞，形成所述金属插塞的步骤包括：
在所述层间介质层内形成接触孔，所述接触孔的底部暴露出所述基底的表面；
在所述接触孔的底部、侧壁以及所述层间介质层上形成扩散阻挡层；
在所述接触孔内填充金属层，形成金属插塞。
8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成所述金属层的方法包括选择性生长、化学气相沉积法中的一种或多种。
9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为钨或钴。
10.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成所述金属插塞的步骤还包括：在所述接触孔内填充金属层之前，去除所述扩散阻挡层。
11.一种如权利要求1-10任意所述的形成方法形成的半导体器件，其特征在于，包括：
基底；
层间介质层，位于所述基底上；
刻蚀阻挡层，位于所述层间介质层上；
开口，位于所述刻蚀阻挡层内，且底部露出所述层间介质层的表面；
高电阻层，位于所述开口内，且填充满所述开口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
